N層遷移金属二カルコゲン化物における硬質層Raman活性モード層間力の定数とハイパースペクトルRamanイメージング【Powered by NICT】

Froehlicher Guillaume; Lorchat Etienne; Zill Olivia; Romeo Michelangelo; Berciaud Stephane

文献

J-GLOBAL ID：201802214047303809 整理番号：18A0468405

N層遷移金属二カルコゲン化物における硬質層Raman活性モード層間力の定数とハイパースペクトルRamanイメージング【Powered by NICT】

Rigid-layer Raman-active modes in N-layer transition metal dichalcogenides: interlayer force constants and hyperspectral Raman imaging

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資料名：
巻： 49 号： 1 ページ： 91-99 発行年： 2018年
JST資料番号： D0305C ISSN： 0377-0486 CODEN： JRSPAF 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

N層遷移金属二カルコゲン化物における剛直層のRaman活性モードの比較研究を報告した。三方晶プリズム(2HC,MoSe_2,MoTe_2,WS_2,WSe_2など)と歪んだ八面体(1t,ReS_2とReSe_2のような)相を考察した。Raman活性面内層間せん断モードと面外中間層呼吸モードは範囲0~40cm~ 1における波数を持った明確な特徴として現れた。これらの剛体層モードは,層間力の定数は容易に抽出される基本線形鎖モデルでよく記述できた。注目すべきことに,これらの力の定数はすべて同程度の大きさであることが分かった。最後に,顕著な層間せん断と呼吸モードの特徴は,与えられた遷移金属二カルコゲン化物フレーク内のN層領域の高精度ハイパースペクトルRamanイメージングを可能にすることを示す。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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トランジスタ , 分光分析 , 半導体薄膜

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