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J-GLOBAL ID：201802214299746212   整理番号：18A2161605

層状構造有機光伝導膜CMOSイメージセンサの先進的特徴:120dB以上の広ダイナミックレンジ機能と光電変換制御グローバルシャッタ機能

Advanced features of layered-structure organic-photoconductive-film CMOS image sensor: Over 120 dB wide dynamic range function and photoelectric-conversion-controlled global shutter function

著者 (12件)： NISHIMURA Kazuko (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  SHISHIDO Sanshiro (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  MIYAKE Yasuo (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  KANEHARA Hidenari (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  SATO Yoshiaki (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  HIRASE Junji (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  SATO Yoshihiro (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  TOMEKAWA Yuko (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  YAMASAKI Masayuki (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  MURAKAMI Masashi (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  HARADA Mitsuru (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  INOUE Yasunori (Panasonic Corp., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 10  ページ： 1002B4.1-1002B4.11  発行年： 2018年10月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来のシリコンイメージセンサとは異なる画素構造を持つ有機光導電性フィルム(OPF)CMOSイメージセンサを開発したが,そこでは,光電変換用の有機薄膜と信号電荷蓄積のための電荷蓄積部分は完全に独立している。本論文では,OPF画像センサの2つのユニークな特徴に焦点を合わせた:(1)120dB以上の広いダイナミックレンジを実現する技術,(2)ピクセル領域を犠牲にすることなく,グローバルなシャッタ機能を持つシリコンイメージセンサよりも,10dB高いユニット平方当たりの高い飽和信号を達成するグローバルシャッタ技術。さらに,8K4Kの高分解能,60fpsの,450ke^-の高飽和信号,およびグローバルシャッタ高フレームレート機能を同時に実現するテストチップを開発した。OPFイメージセンサのこれらの特徴は,イメージングとセンシング分野における著しい進歩に寄与した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 層状組織 ,  *有機伝導体 ,  有機材料 ,  *イメージセンサ ,  *ダイナミックレンジ ,  *シャッタ ,  帯電 ,  画素 ,  信号 ,  高分解能 ,  伝送速度 ,  半導体チップ ,  光電効果
準シソーラス用語： 層状構造 ,  *有機光伝導体 ,  有機薄膜 ,  *CMOSイメージセンサ ,  高ダイナミックレンジ ,  光電変換 ,  電荷蓄積 ,  ピクセル ,  飽和信号 ,  フレームレート ,  テストチップ

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  撮像・録画装置  (ND12032E)

引用文献 (34件)：

• M. Mori, Y. Hirose, M. Segawa, I. Miyanaga, R. Miyagawa, T. Ueda, H. Nara, H. Masuda, S. Kishimura, T. Sasaki, Y. Kato, Y. Imada, H. Asano, H. Inomata, H. Koguchi, M. Ihama, and Y. Mishima, Symp. VLSI Technology, 2013, T22.
• M. Ishii, S. Kasuga, K. Yazawa, Y. Sakata, T. Okino, Y. Sato, J. Hirase, Y. Hirose, T. Tamaki, Y. Matsunaga, and Y. Kato, Symp. VLSI Circuits, 2013, C8.
• K. Nishimura, Y. Sato, J. Hirase, R. Sakaida, M. Yanagida, T. Tamaki, M. Takase, H. Kanehara, M. Murakami, and Y. Inoue, Dig. Tech. Pap. Int. Solid-State Circuits Conf., 2016, p. 110.
• H. Seo, S. Aihara, T. Watabe, H. Ohtake, T. Sakai, M. Kubota, N. Egami, T. Hiramatsu, T. Matsuda, M. Furuta, and T. Hirao, Int. Image Sensor Workshop, 2011, p. 236.
• S. Machida, S. Shishido, T. Tokuhara, M. Yanagida, T. Yamada, M. Izuchi, Y. Sato, Y. Miyake, M. Nakata, M. Murakami, M. Harada, and Y. Inoue, Dig. Tech. Pap. Int. Solid-State Circuits Conf., 2017, p. 78.

タイトルに関連する用語 (7件)： 層状構造 ,  光伝導 ,  CMOSイメージセンサ ,  ダイナミックレンジ ,  光電変換 ,  グローバル ,  シャッタ