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J-GLOBAL ID：201802214391645905   整理番号：18A0537196

In_0 5Ga_0-0.5NにおけるMgの置換ドーピングのab initio研究【Powered by NICT】

Ab-initio study of substitutional doping of Mg in In_0.5Ga_0.5N

著者 (4件)： Agnihotri Shantanu (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur, U.P., India) ,  Rastogi Priyank (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur, U.P., India) ,  Chauhan Yogesh Singh (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur, U.P., India) ,  Agarwal Amit (Department of Physics, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur, U.P., India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SCOReD  ページ： 178-182  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理に基づく密度汎関数理論計算によりバルクIn_0 5Ga_0-0.5Nの電気的性質に及ぼす置換型マグネシウム(Mg)ドーピングの影響を調べた。結合エネルギー計算に基づいて,著者らはでは,In_05Ga_05N中のMgの置換型ドーピングのための最も有利な部位であることを明白に示した。も固有とMgドープIn_05Ga_05Nの電子分散,結合エネルギー,状態密度(DOS),投影状態密度(DOS),バンドギャップ変化と電荷キャリアの有効質量のような電気的特性を計算自己無撞着および非自己無撞着計算を。Mgドーピングは固有In_05Ga_0 0.5Nに変換するp型材料,太陽電池応用,LEDとナノコラム応用のための潜在的に有用である,ことを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気的性質 ,  バンドギャップ ,  第一原理 ,  結合エネルギー ,  計算 ,  太陽電池 ,  状態密度 ,  *マグネシウム ,  有効質量 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： ナノコラム ,  電荷キャリア ,  密度汎関数計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (4件)： Mg ,  置換 ,  ドーピング ,  研究