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J-GLOBAL ID：201802214444550755   整理番号：18A2071987

RFマグネトロンスパッタリングによるジルコニア基板上のSi-O被覆の濡れ性と耐久性【JST・京大機械翻訳】

Wettability and Durability of Si-O Coatings on Zirconia Substrate by RF-Magnetron Plasma Sputtering

著者 (7件)： Yokogawa Yoshiyuki (Osaka City University, Graduate School of Engineering; 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka, Japan, 558-8585) ,  Morishima Taishi (Osaka City University, Graduate School of Engineering; 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka, Japan, 558-8585) ,  Uno Mitunori (Asahi University, Graduate School of Dentistry; 1851 Hozumi, Hozumi, Japan, 501-0298) ,  Kurachi Masakazu (Asahi University, Graduate School of Dentistry; 1851 Hozumi, Hozumi, Japan, 501-0298) ,  Doi Yutaka (Asahi University, Graduate School of Dentistry; 1851 Hozumi, Japan, 501-0298 Gifu) ,  Kawaki Harumi (Asahi University, Graduate School of Dentistry; 1851 Hozumi, Japan, 501-0298 Gifu) ,  Hotta Masato (Asahi University, Graduate School of Dentistry; 1851 Hozumi, Hozumi, Japan, 501-0298)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 782  ページ： 189-194  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波マグネトロンスパッタリング(rfスパッタリング)を用いてジルコニア基板上に調製したSi-O被覆の濡れ性と耐久性を研究した。XRD分析は,rfスパッタリング過程の前後でジルコニアの相転移を示さなかった。XPS分光法は,SiO_2配置を有する蒸着膜が形成されたことを示した。EDX分析は,Si/Zr比が高く,マグネトロンrfスパッタリングがプラズマガスAr+5%O_2を用いて行われたとき,ジルコニア基板上に持続可能な親水性層を形成するためのrfスパッタリングの最適条件である可能性があることを示した。ピンを用いた摩耗試験を行った。ジルコニア基板上にマグネトロン高周波マグネトロンスパッタリング(rfスパッタリング)により作製したSi-O被覆の濡れ性と耐久性を研究した。プラズマガスAr+5%O_2は,ジルコニア基板上に持続可能な親水性層を形成するためのrfスパッタリングの最適条件である可能性がある。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適条件 ,  *酸化ジルコニウム ,  *基板 ,  *被覆 ,  蒸着膜 ,  *ケイ素 ,  親水性 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *マグネトロン ,  相転移 ,  ジルコニウム ,  X線回折 ,  *スパッタリング ,  *耐久性
準シソーラス用語： *RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 耐久性 ,  濡れ性 ,  ジルコニア基板 ,  反応性プラズマスパッタリング

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  ジルコニア ,  Si ,  濡れ性