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J-GLOBAL ID：201802214461334386   整理番号：18A1334260

プラズモン増幅器における雑音低減

Noise reduction in plasmonic amplifiers

著者 (2件)： VYSHNEVYY Andrey A. (Moscow Inst. of Physics and Technol., Dolgoprudny, RUS) ,  FEDYANIN Dmitry Yu. (Moscow Inst. of Physics and Technol., Dolgoprudny, RUS)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 6  ページ： 062002.1-062002.4  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面プラズモンポラリトン増幅は,金属における強い吸収を克服する可能性を与え,オンチップフォトニック回路のための真のナノスケール素子を設計することができる。しかし,利得媒質における誘導放出の過程は必然的に自然放出を伴い,雑音パワーを大きく増加させる。ここでは,増幅器に沿った利得再分布に基づくプラズモン増幅器における雑音低減のための効率的な戦略を示した。非常に小さい利得再分布(~3%)でさえも,信号対雑音比を約100%増加させ,ビット誤り率を1桁向上させることができることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *雑音低減 ,  ポラリトン ,  超小形回路技術 ,  誘導放出 ,  SN比 ,  誤り率 ,  *光増幅器 ,  *共振器
準シソーラス用語： 表面プラズモンポラリトン ,  オンチップ ,  信号対雑音比 ,  ビット誤り率 ,  *プラズモン共振器

分類 (1件)： その他の光デバイス  (BD06060O)

引用文献 (36件)：

• D. A. B. Miller, Appl. Opt. 49, F59 (2010).
• C. Sun, M. T. Wade, Y. Lee, J. S. Orcutt, L. Alloatti, M. S. Georgas, A. S. Waterman, J. M. Shainline, R. R. Avizienis, S. Lin, B. R. Moss, R. Kumar, F. Pavanello, A. H. Atabaki, H. M. Cook, A. J. Ou, J. C. Leu, Y.-H. Chen, K. Asanović, R. J. Ram, M. A. Popović, and V. M. Stojanović, Nature 528, 534 (2015).
• D. A. B. Miller, Proc. IEEE 88, 728 (2000).
• B. Jalali and S. Fathpour, J. Lightwave Technol. 24, 4600 (2006).
• O. Wada, Optoelectronic Integration: Physics, Technology and Applications (Springer, New York, 2013).

タイトルに関連する用語 (3件)： プラズモン ,  増幅器 ,  雑音低減