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J-GLOBAL ID：201802214571614179   整理番号：18A0478357

高圧での高温処理によるバンドギャップと窒化炭素材料中の窒素含量の調整【Powered by NICT】

Tuning the band gap and the nitrogen content in carbon nitride materials by high temperature treatment at high pressure

著者 (13件)： Yang Zhenxing (State Key Laboratory of Superhard Materials, College of Physics, Jilin University, No. 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, People’s Republic of China) ,  Hu Kuo (State Key Laboratory of Superhard Materials, College of Physics, Jilin University, No. 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, People’s Republic of China) ,  Meng Xianwei (State Key Laboratory of Superhard Materials, College of Physics, Jilin University, No. 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, People’s Republic of China) ,  Tao Qiang (State Key Laboratory of Superhard Materials, College of Physics, Jilin University, No. 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, People’s Republic of China) ,  Dong Jiajun (State Key Laboratory of Superhard Materials, College of Physics, Jilin University, No. 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, People’s Republic of China) ,  Liu Bo (State Key Laboratory of Superhard Materials, College of Physics, Jilin University, No. 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, People’s Republic of China) ,  Lu Qian (State Key Laboratory of Superhard Materials, College of Physics, Jilin University, No. 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, People’s Republic of China) ,  Zhang Hua (State Key Laboratory of Superhard Materials, College of Physics, Jilin University, No. 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, People’s Republic of China) ,  Sundqvist Bertil (State Key Laboratory of Superhard Materials, College of Physics, Jilin University, No. 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, People’s Republic of China) ,  Sundqvist Bertil (Department of Physics, Umea University, SE-90187 Umea, Sweden) ,  Zhu Pinwen (State Key Laboratory of Superhard Materials, College of Physics, Jilin University, No. 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, People’s Republic of China) ,  Yao Mingguang (State Key Laboratory of Superhard Materials, College of Physics, Jilin University, No. 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, People’s Republic of China) ,  Liu Bing bing (State Key Laboratory of Superhard Materials, College of Physics, Jilin University, No. 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, People’s Republic of China)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 130  ページ： 170-177  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化炭素(C N)材料は,光触媒とエネルギー変換への並外れた性能のために,大きな関心を集めている。しかし,実用化を満足するC-N材料のバンドギャップ工学を達成するための効果的な戦略の開発である非常に望まれている。ここでは,バンドギャップを調整し,高圧高温(H PHT)処理を用いて窒化炭素化合物中の窒素の化学量論を制御する効果的な方法を報告した。は圧力下で比較的低い温度(630°C及びそれ以下)でg C_3N_4前駆体を処理する赤色光領域(~600 nm)までのバンドギャップを狭め,結晶度を増加させ,電荷キャリア分離効率(二桁)を著しく改善し,ほぼ化学量論を変化させずに効率的にできることが分かった。圧力下での処理温度を増加させると,弱い強磁性をもつ窒素ドープグラフェン/グラファイト材料が得られた。は,調整可能なバンドギャップを持つC-N材料,半導体から金属状態への範囲を得た。XPS測定は,ピリジン窒素はそのようなH PHT条件下で除去され優先的に黒鉛窒素はC-Nネットワーク中に保存されていることを示した。著者らの結果は,応用のためのC-N材料の構造と物理的性質を調整するための効率的な戦略を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  *高圧 ,  分離効率 ,  *窒素 ,  グラフェン ,  光触媒 ,  *バンドギャップ ,  グラファイト ,  前駆体 ,  化学量論 ,  *窒化 ,  結晶度 ,  炭素化合物
準シソーラス用語： 窒素ドーピング ,  *窒化炭素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高圧 ,  高温処理 ,  バンドギャップ ,  窒化 ,  炭素材料 ,  窒素 ,  含量