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J-GLOBAL ID：201802214808323712   整理番号：18A2164311

45nm RF-SOI CMOSによる低電力24GHz VCOの設計【JST・京大機械翻訳】

Design of a Low Power 24 GHz VCO in 45 nm RF-SOI CMOS

著者 (4件)： Agroudy Naglaa El (Technische Universitaet Dresden, Germany) ,  El-Shennawy Mohammed (Technische Universitaet Dresden, Germany) ,  Joram Niko (Technische Universitaet Dresden, Germany) ,  Ellinger Frank (Technische Universitaet Dresden, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： EuMC  ページ： 1001-1004  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 周波数変調連続波(FMCW)レーダ基地局用の低電力24GHz LC交差結合電圧制御発振器(VCO)の設計を示した。VCOは,その受動部品がバルクCMOS技術のものより良い品質因子を提供するので,45nmのRF-SOI技術を用いて製造される。プリント基板(PCB)上で測定した場合,作製したVCOは1V電源から12.3mAしか消費せず,他の最先端のLC交差結合VCOを上回る2.15GHz/mWの電力効率を達成した。設計は,9%の同調範囲を達成するために,2つのビットコンデンサバンクを採用した。測定した位相雑音は,1および10MHzオフセット周波数において,それぞれ-96.4および-119dBc/Hzであった。それは,10MHzオフセット周波数で-179.5dBc/Hzの性能指数(FOM)を達成した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基地局 ,  VCO【発振器】 ,  プリント基板 ,  *CMOS ,  位相雑音 ,  レーダ ,  電力効率 ,  オフセット
準シソーラス用語： コンデンサバンク ,  同調範囲 ,  品質因子 ,  受動素子 ,  交差結合 ,  周波数変調連続波 ,  *低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF ,  SOI ,  CMOS ,  低電力 ,  VCO ,  設計