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J-GLOBAL ID:201802214865482247   整理番号:18A0435540

高再現性を有するカドミウム(II)の高感度定量のためのin situビスマス修飾窒化ガリウム電極【Powered by NICT】

In situ bismuth-modified gallium nitride electrode for sensitive determination of cadmium (II) with high repeatability
著者 (9件):
資料名:
巻: 809  ページ: 105-110  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0037A  ISSN: 1572-6657  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ビスマス修飾窒化ガリウム(Bi/GaN)電極をin situめっき法を用いて作製し,同時に矩形波アノーディックストリッピングボルタンメトリー(SWASV)によるCd~2+の検出のために調べた。最適条件下で,Bi/GaN電極は1 150/.の濃度範囲でCd~2+の良好な直線的アンペロメトリー応答を示した。感度は0.54418μALμg~( 1)(すなわち,59.8598AM~ 1)であり,検出限界(LOD)は0.3μg/L(すなわち,2.72nM)であった。さらに,調製したままのBi/GaNセンサは高い再現性を有し,50サイクル後にその初期ストリッピングピーク電流の95%を保持していた。より重要なことは,水道水,ミルク,とウシ胎児血清などの実試料中のセンサの適用性を研究した。回収率は92.3から106.7%の範囲にあり,作製したBi/GaNセンサは実際の環境のCd~2+をモニターする潜在力を持つことを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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分析機器  ,  電気化学反応 

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