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J-GLOBAL ID:201802215249705724   整理番号:18A0484938

反応焼結シリコンベースセラミック粉末中の均一に分散したSiCナノワイヤのその場合成【Powered by NICT】

In situ synthesis of homogeneously dispersed SiC nanowires in reaction sintered silicon-based ceramic powders
著者 (3件):
資料名:
巻: 44  号:ページ: 6681-6685  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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セラミック粉末中に均一に分散したSiCナノワイヤの合成はセラミックマトリックス複合材料における強化材としての応用可能性のためにかなりの関心を喚起する。ここでは,反応焼結したシリコン系セラミック粉末中に均一に分散したSiCナノワイヤをin situ合成のための簡単で新規な方法を報告した。合成したままのナノワイヤは直径50~200nm,長さ十μm以上までの範囲で単結晶3C-SiCを示した。更なる実験結果と熱力学解析を組合せて,反応焼結したシリコン系セラミック粉末中のSiCナノワイヤのその場合成のための遊離ケイ素の重要性を示した,システム中のSiOガス状生成物の平衡蒸気圧を増加させた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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セラミック・陶磁器の製造 

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