文献

J-GLOBAL ID：201802215338819620   整理番号：18A0446763

回折構造のためのピラミッド表面と背面照射相補型金属酸化物半導体イメージセンサの近赤外感度増強【Powered by NICT】

Near-infrared sensitivity enhancement of a back-illuminated complementary metal oxide semiconductor image sensor with a pyramid surface for diffraction structure

著者 (9件)： Oshiyama I. (Sony Semiconductor Solutions Corporation) ,  Yokogawa S. (Sony Semiconductor Solutions Corporation) ,  Ikeda H. (Sony Semiconductor Solutions Corporation) ,  Ebiko Y. (Sony Semiconductor Solutions Corporation) ,  Hirano T. (Sony Semiconductor Solutions Corporation) ,  Saito S. (Sony Semiconductor Solutions Corporation) ,  Oinoue T. (Sony Semiconductor Solutions Corporation) ,  Hagimoto Y. (Sony Semiconductor Solutions Corporation) ,  Iwamoto H. (Sony Semiconductor Solutions Corporation)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 16.4.1-16.4.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者らは,結晶シリコンおよび深いトレンチ分離(DTI)に対する回折(PSD)構造のためのピラミッド表面と裏面照射相補型金属酸化物半導体イメージセンサ(BI CIS)の近赤外(NIR)感度増強を示した。入射光は基板内の強い回折のために,PSDに回折され,850nmで30%以上の量子効率をもたらした。特殊処理プロセスとDTI(拡散テンソル画像)構造を用いて,暗電流を増加させずに,隣接画素にクロストークの量は減少し,フラット構造のそれに等しい分解能を提供した。プロトタイプデバイスの試験は,高いNIR感度を持つユニークなBI CISの開発に成功したことを明らかにした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： クロストーク ,  量子効率 ,  *イメージセンサ ,  分解能 ,  *角錐 ,  画素 ,  *近赤外線 ,  暗電流 ,  *増感 ,  *回折
準シソーラス用語： 入射光 ,  結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  光導電素子  (NC03083X) ,  光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 回折 ,  ピラミッド ,  背面 ,  金属酸化物半導体 ,  イメージセンサ ,  近赤外 ,  感度増