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J-GLOBAL ID：201802215412989001   整理番号：18A2004880

洪水レベル測定のためのembosedダイヤフラムに基づくMEMS圧電抵抗圧力センサの性能解析【JST・京大機械翻訳】

Performance analysis of embossed diaphragm based MEMS piezo resistive pressure sensor for flood level measurement

著者 (2件)： Sindhanaiselvi D. (Department of Electronics and Instrumentation Engineering, Pondicherry Engineering College, Pondicherry, India) ,  Shanmuganantham T. (Department of Electronics Engineering, Pondicherry University, Pondicherry, India)
資料名： Materials Today: Proceedings  (Materials Today: Proceedings)
巻： 5  号： 10 P1  ページ： 21363-21372  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3531A  ISSN： 2214-7853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,1cm~100cmの範囲における洪水レベルを測定するために,約10kPaの圧力に比例する1cm~100cmの範囲の洪水レベルを測定するために,エンボスまたは簡単にボスされたダイヤフラムの性能に焦点を合わせた。このダイヤフラムは,低い圧力範囲を感知するために非常に薄いダイヤフラムを構築するために使用される特別なタイプの設計である。このダイヤフラムは,Intelliget MEMS CADツールを用いて設計されている。正方形,長方形および円のような異なる形状に関するエンボスダイヤフラムの性能を調べた。3μmの厚さを有するエンボス寸法300μm×300μmを有する500μm×500μmの正方形寸法は,小規模偏向を満足した。ダイヤフラムは0.95μmの最大変位を生じた。ダイヤフラムを最大応力領域で解析した。縦方向応力_xx54.63MPa,横方向応力S_y分解54.63MPaおよび曲げ応力S_zzは19.19MPaであった。電気出力は,砥石橋配置を用いて最大応力領域に4つのピエゾ抵抗器を置くことによって推定され,7.964mVである。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ダイヤフラム ,  *MEMS ,  偏向 ,  性能分析 ,  小規模 ,  レベル測定 ,  エンボス加工 ,  *圧力センサ ,  *洪水
準シソーラス用語： 電気出力 ,  圧電抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 圧力 ,  embos ,  変位 ,  応力と形状

分類 (2件)： 力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 洪水 ,  レベル測定 ,  ダイヤフラム ,  MEMS ,  圧電抵抗 ,  圧力センサ ,  性能解析