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J-GLOBAL ID：201802215427909999   整理番号：18A0520054

グラフェンに基づくマルチラインバスアーキテクチャを用いたクロストーク中心設計【Powered by NICT】

Crosstalk-centric designing using graphene based multi-line bus architecture

著者 (2件)： Majumder Manoj Kumar (Department of Electronics and Communication Engineering International Institute of Information Technology, Naya Raipur, India) ,  Kaushik Brajesh Kumar (Department of Electronics and Communication Engineering Indian Institute of Technology Roorkee, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PIERS - FALL  ページ： 2009-2012  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究論文では,Cu,MWCNTとMLGNR相互接続の動的クロストークの影響下で伝搬遅延を解析し,比較した。マルチラインバスアーキテクチャ,CMOSドライバによる駆動を用いて,クロストーク効果を実証することである。等価単導体(ESC)モデルは直径依存導電性チャネルと平均自由行程を考慮に入れた正確に紹介した。HSPICEシミュレーションは位相スイッチングシナリオの下での漏話誘起遅延を解析した。5線バスアーキテクチャの各相互接続線はCu,MWCNTとMLGNRの等価モデルで表現した。相互接続長は30μmから90μmの範囲で変化させた。相互接続長さに関係なく,漏話誘起遅延を等価CuとMWCNT相互接続と比較して層の数とMLGNRの劇的に低下させることが観察された。平均して,より多くの層を有するMLGNRは等価CuとMWCNT相互接続と比較して35.1%と20.6%改善された漏話誘起遅延を有した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 銅 ,  導電性 ,  チャネル ,  シミュレーション ,  相互接続 ,  *グラフェン ,  導体 ,  *クロストーク ,  平均自由行程 ,  位相 ,  多層カーボンナノチューブ ,  漏話
準シソーラス用語： 等価モデル ,  HSPICE ,  伝搬遅延 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  クロストーク ,  設計