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J-GLOBAL ID：201802215471725407   整理番号：18A1777218

(0001)α-石英SiO_2表面上のH_2S吸着過程【JST・京大機械翻訳】

H₂S adsorption process on (0001) α-quartz SiO₂ surfaces

著者 (3件)： Kim Hye Jung (Department of Physics and EHSRC, University of Ulsan, Ulsan 44610, South Korea) ,  Jeon Hyeongtag (Department of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, South Korea) ,  Shin Young-Han (Department of Physics, University of Ulsan, Ulsan 44610, South Korea)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 124  号： 11  ページ： 115301-115301-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属硫化物材料の原子層堆積成長のための前処理プロセスである(0001)α-石英SiO_2表面上のH_2S吸着過程を理論的に研究した。高密度で完全にヒドロキシル化した(0001)α-石英SiO_2の表面構造はエネルギー的に安定であるが,H_2S分子との反応はそれほど活性ではないが,開裂SiO_2表面はH_2S分子の解離吸着に化学的に反応し,吸着エネルギーは-3.08eV/分子である。開裂表面において,吸着したH_2SはHおよびH-Sフラグメントに解離し,この反応過程におけるエネルギー障壁は0.042eVと計算されることを確認した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面構造 ,  *石英 ,  ヒドロキシ化 ,  解離吸着 ,  吸着エネルギー
準シソーラス用語： 高密度 ,  エネルギー障壁 ,  反応過程 ,  *一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (2件)： 石英 ,  吸着過程