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J-GLOBAL ID:201802215524509308   整理番号:18A2108490

シリコン上の不均一フォトニック集積【JST・京大機械翻訳】

Heterogeneous Photonic Integration on Silicon
著者 (1件):
資料名:
巻: 2018  号: ECOC  ページ: 1-3  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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不均一シリコンフォトニック集積技術と構成要素における最近の進歩をレビューし,シリコンフォトニック集積回路における進歩を記述した。レーザ集積のための技術と能動シリコンフォトニック集積回路の影響について,相互接続,通信,およびシリコンエレクトロニクスについてレビューした。短波長レーザ用のヒ化物,赤外レーザ用のりん化物,長波長用のQCL,非線形応用のためのLiNbO_3とGaAs,アイソレータとサーキュレータ用のYIGを含む種々の材料が不均一に集積されている。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
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図形・画像処理一般  ,  音声処理  ,  医用画像処理  ,  符号理論  ,  NMR一般 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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