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J-GLOBAL ID：201802215581711599   整理番号：18A0647325

全MOSデバイスを用いて,温度とチャネリング効果を補償する電流制御リング発振器を提案した。【JST・京大機械翻訳】

A temperature and channeling effect-minimized current controlled ring oscillator using all MOS devices

著者 (2件)： Li Fanyang (福州大学物理与信息工程学院,福建省集成電路設計中心,福建福州350116) ,  Yang Tao (福州大学物理与信息工程学院,福建省集成電路設計中心,福建福州350116)
資料名： Fuzhou Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban)  (Fuzhou Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban))
巻： 45  号： 5  ページ： 659-662  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3290A  ISSN： 1000-2243  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 完全なMOSデバイスの補償温度とチャネリング効果電流制御リング発振器を提案し、通信クロック回復回路発振器の振動周波数オフセットを減少させた。従来の発振器と比較して,この発振器は,全MOSデバイスの設計温度とバイアス電流補償回路を用いて,温度と溝効果によって引き起こされる周波数オフセットを減少させた。。・・・.の信頼性を向上させた場合には,周波数オフセットを減少させることができる。0.35μmの標準MOS技術を用いて設計した回路は,従来の発振器の性能と比較して,振動周波数のオフセットを著しく改善することができた。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： オフセット ,  通信 ,  *MOSFET ,  *電流制御 ,  信頼性 ,  *リング発振器 ,  振動数 ,  *チャネリング ,  *発振器
準シソーラス用語： 補償回路 ,  バイアス電流 ,  周波数オフセット , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： MOS devices ,  ring oscillator ,  frequency offset

分類 (2件)： 信号理論  (ND02020G) ,  発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOSデバイス ,  補償 ,  電流制御 ,  リング発振器 ,  提案