Ni_81Fe_19/Fe_50Mn_50膜における磁気異方性と回転ヒステリシストルク磁気測定と異方性磁気抵抗による研究【Powered by NICT】

da Silva O.E.; de Siqueira J.V.; Kern P.R.; Garcia W.J.S.; Beck F.; Rigue J.N.; Carara M.

文献

J-GLOBAL ID：201802215606335064 整理番号：18A0616861

Ni_81Fe_19/Fe_50Mn_50膜における磁気異方性と回転ヒステリシストルク磁気測定と異方性磁気抵抗による研究【Powered by NICT】

Magnetic anisotropies and rotational hysteresis in Ni₈₁Fe₁₉/Fe₅₀Mn₅₀ films: A study by torque magnetometry and anisotropic magnetoresistance

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資料名：
巻： 451 ページ： 507-514 発行年： 2018年
JST資料番号： H0644A ISSN： 0304-8853 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

NiFe/FeMn薄膜の交換バイアス特性を,X線回折,ヒステリシスループ,異方性磁気抵抗(AMR)の角度測定と磁気トルクにより調べた。MeiklejohnとBeanによって予測された第1回としてNiFe層厚さが増加すると,バイアス磁場の減少を見出した。しかしこのような減少は予想されるほど強くないとNiFe層の厚さが増加すると,界面でFeMn結晶粒の数の増加から生じるuncompensed反強磁性スピンの数の増加に起因した。AMRと磁気トルクの角度変化を計算し,自由磁気エネルギーの最小化を用いたと磁化平衡角を見つける実験結果と比較した。自由エネルギー,多結晶試料の各結晶粒では,次の項目:Zeeman,一軸,一方向及び回転エネルギーにより構成されている。AMR曲線から,測定場に無関係に安定な異方性場を得るが,トルク曲線から,一軸および回転場の増加を得るために,測定場は増加した。これらの結果は,二つの異なる技術の物理的起源と感度に起因していた。磁気抵抗は主に強磁性層の内側部分に敏感であり,トルクは層の界面を含む全強磁性層の情報を明らかにした。このようにして,我々は,一軸及び回転値の増加した測定磁場で回転させる,界面近くの,強磁性層の体積の増加によると考えられた。両方の技術による回転ヒステリシスの研究強磁性層の内部と界面からの寄与を別々に取得可能にする。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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金属結晶の磁性 , 金属薄膜 , 金属の電子伝導一般

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