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J-GLOBAL ID：201802215694427577   整理番号：18A2100021

厚いイプシロン-ほぼゼロのITOメタマテリアル膜【JST・京大機械翻訳】

Thick Epsilon-Near-Zero ITO Metamaterial Films

著者 (4件)： Ni Jimmy (U.S. Army Research Laboratory, Sensors and Electron Devices Directorate Electro-Optics and Photonics Division, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, MD 20783) ,  Sarney Wendy (U.S. Army Research Laboratory, Sensors and Electron Devices Directorate Electro-Optics and Photonics Division, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, MD 20783) ,  Bennett Joe (National Institute of Standards & Technology, Surface and Trace Chemical Analysis Group, 100 Bureau Drive, Gaithersburg, MD 20899) ,  Zhou Weimin (U.S. Army Research Laboratory, Sensors and Electron Devices Directorate Electro-Optics and Photonics Division, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, MD 20783)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IPC  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ε-およびμ-ゼロ(EMNZ)メタ材料を,光-物質相互作用の非従来の調整および操作のために実証した。したがって,それは望ましい特性と機能性を有する新しい光電子デバイスのプラットフォームを提供する。本論文では,異なる厚さとアニーリング過程を持ついくつかのITO膜を研究し,環境に鈍感な新しいタイプの光電子デバイス用のホストEMNZメタ材料を開発する可能性を調べた。これらのITO膜を,エリプソメトリ研究,X線回折,TEMおよびSIMSなどで特性化した。結果は,より厚い自己集合アニールしたITO膜は,基板から上部表面への負の値から正の値まで変化する均一誘電率(ε)を持たないことを示した。ITOメタ材料を有用にするために,ε-ゼロ(ENZ)とわずかな負の条件で1.5μm以上のITOを作製する方法を研究した。目的は,Siベースの集積光電子プラットフォームに適合するENZメタ材料プロセスを開発することである。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電子 ,  キャラクタリゼーション ,  焼なまし ,  X線回折 ,  *偏光解析法 ,  自己集合 ,  誘電率
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  機能性 ,  光-物質相互作用 ,  *メタマテリアル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： イプシロン ,  ITO ,  メタマテリアル