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J-GLOBAL ID：201802215790606254   整理番号：18A2030034

RhドープSnO_2(110)表面の構造と電子特性 ab initio計算【JST・京大機械翻訳】

Structural and electronics properties of Rh-doped SnO₂(110) surfaces: Ab-initio calculations

著者 (2件)： Bouamra F. (University of Blida1, LASICOM Laboratory, Blida, Algeria) ,  Boumeddiene A. (University of Blida1, LASICOM Laboratory, Blida, Algeria)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 50  号： 11  ページ： 1127-1131  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CRYSTAL09プログラムによるB3LYPレベルでの密度関数理論(DFT)を用いて,SnO_2(110)ドープRh表面の構造的および電子的性質を,異なる原子Rh/Sn比に対して計算した:9.09%,14.28%,20%および26.31%。これらの構造は,SnとO原子を含むSnO_2(110)表面の最も外側の原子面のスズSn原子によるRh原子の置換によって得られる。Rh(PDOS)の隣接原子の緩和パラメータ,バンド構造,及び投影状態密度を示し,議論した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 緩和現象 ,  密度汎関数法 ,  *ドーピング ,  *スズ ,  状態密度 ,  バンド構造 ,  *ロジウム
準シソーラス用語： 酸素原子 ,  B3LYP法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 化学量論的SnO2(110)表面 ,  緩和 ,  Rhドーピング ,  DFT ,  Crystal09

分類 (5件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  金属の表面構造  (BK15020P) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： Rh ,  ドープ ,  電子 ,  計算