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J-GLOBAL ID：201802215796640081   整理番号：18A0584739

少量Geのkesteritesの生成経路と結晶化を修正する方法【Powered by NICT】

How small amounts of Ge modify the formation pathways and crystallization of kesterites

著者 (12件)： Giraldo S. (Catalonia Institute for Energy Research (IREC), Jardins de les Dones de Negre 1, 08930 Sant Adria de Besos, Barcelona, Spain. [e-mail]) ,  Saucedo E. ,  Neuschitzer M. ,  Oliva F. ,  Placidi M. ,  Alcobe X. ,  Izquierdo-Roca V. ,  Kim S. ,  Tampo H. ,  Shibata H. ,  Perez-Rodriguez A. ,  Pistor P.
資料名： Energy & Environmental Science  (Energy & Environmental Science)
巻： 11  号： 3  ページ： 582-593  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2306A  ISSN： 1754-5692  CODEN： EESNBY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黄錫亜鉛鉱太陽電池に対してCu_2ZnSn(S,Se)4吸収体の合成へのGeの包接は最近の出版物の素子効率を高めるために非常に効率的な方法であることが証明されている。これはGeは黄錫亜鉛鉱太陽電池特性を改善するこのような大きくする機構を明らかにする重要性を強調した。本論文では,まず,Geの非常に薄い(10 15 nm)層の位置と厚さを制御する逐次プロセスで調製したケステライト薄膜の結晶化に大きな影響を与えるかを示した。典型的には,Cu_2ZnSnSe_4(CZTSe)膜は,上部領域における大きな結晶粒と背面に小さな結晶粒をもつ二層構造を形成する。前駆体以下のGeナノ層を導入することにより,全吸収体厚さにわたる大きなCZTSe結晶粒が形成されることを観測した。さらに,Geは黄錫亜鉛鉱吸収体の形成機構の基本的な変化を誘導することを観察した。Geを含まない相変化の詳細な解析では,蛍光X線,X線回折とRaman分光の結果Geがセレン化時の優先反応スキームをどのように影響するかを実証するためにを組み合わせた。Geの存在は,深さ方向の元素分布に大きな変化を引き起こし,安定化Cu-Sn混合を誘導し,アニーリングプロセス中の劇的な組成変動を抑制することを明らかにした。これは最終的に,主に二分子CZTSe形成機構に対する三分子から変化した。直径数ミクロンの驚くほど大きな結晶を持つケステライト薄膜をこの手法を用いて作製することができた。結果はデバイス性能の増加,最大11.8%の電力変換効率が得られたに関連している。最後に,明らかに結晶化経路の結果および他のカルコゲン化物技術への拡張を議論した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相転移 ,  太陽電池 ,  結晶粒 ,  スズ ,  吸収体 ,  *ゲルマニウム ,  薄膜 ,  前駆体 ,  X線回折 ,  Raman分光法 ,  *結晶化 ,  亜鉛鉱 ,  カルコゲン化物
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  形成機構 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ge ,  経路 ,  結晶化