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J-GLOBAL ID：201802215870908160   整理番号：18A0477408

高フレキシブルエレクトロニクスのための透明なナノスケールのポリイミドゲート誘電体【Powered by NICT】

Transparent Nanoscale Polyimide Gate Dielectric for Highly Flexible Electronics

著者 (6件)： Park Saungeun (Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, TX, 78758, USA) ,  Chang Hsiao-Yu (Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, TX, 78758, USA) ,  Rahimi Somayyeh (Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, TX, 78758, USA) ,  Lee Alvin L. (Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, TX, 78758, USA) ,  Tao Li (Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, TX, 78758, USA) ,  Akinwande Deji (Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, TX, 78758, USA)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 4  号： 2  ページ： ROMBUNNO.201700043  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さ100nm以下の透明溶液処理可能なナノスケールのポリイミド(NPI)膜と2D材料ベーストランジスタ素子用の柔軟なゲート誘電体としてのそれらの応用を報告した。10%までの高い引張歪下でのNPI誘電体の安定な電気的性能はその場曲げ実験により実証した。NPIナノスケール厚さの歓迎すべき利点は,光学的透明性は,従来の厚いポリイミドと比較して,可視スペクトル全体で84%以上改善され,透明エレクトロニクスのための適合性を示していることである,ディスプレイやセンサなど。NPIゲート誘電体を用いたプロトタイプ2D活性材料,二硫化モリブデン(MoS_2),およびグラフェン原子層堆積(A LD)ゲート誘電体を用いた類似のデバイスの性能に匹敵する優れた薄膜トランジスタ(TFT)特性を示した。例えば,NPI誘電体を有するMoS_2FETは30cm~2V~ 1s~ 1とオン/オフ電流比>10~7の最大電界効果移動度を得た。NPI誘電体を用いて作製した,グラフェンFET(GFET)も高k誘電体を持つ同様なデバイスに匹敵するDCおよび無線周波数(RF)性能,最大キャリア移動度≒5170cm~2V~ 1s~ 1などを示した。外因性カットオフ周波数約6.5GHzが達成され,これは,NPIは,無線通信システムのためのフレキシブルRF TFTに適した誘電体でもあることを明らかにした。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元 ,  *電子技術 ,  キャリア移動度 ,  電流 ,  薄膜トランジスタ ,  センサ ,  *誘電体 ,  *ポリイミド ,  *ゲート絶縁膜 ,  グラフェン ,  遮断周波数
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  二硫化モリブデン ,  *ナノスケール ,  *フレキシブルエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 2D材料 ,  アナログ装置 ,  フレキシブルゲート誘電体 ,  グラフェン ,  mobility ,  二硫化モリブデン ,  RF

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： フレキシブルエレクトロニクス ,  ナノスケール ,  ポリイミド ,  ゲート誘電体