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J-GLOBAL ID：201802215960021438   整理番号：18A0388705

Fe/NCZF/PZT複合薄膜の磁性に及ぼす電場効果【Powered by NICT】

Electric-field effects on magnetism of Fe/NCZF/PZT composite thin film

著者 (6件)： Mudinepalli Venkata Ramana (Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei 116, Taiwan) ,  Chang Po-Chun (Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei 116, Taiwan) ,  Hsu Chuan-Che (Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei 116, Taiwan) ,  Lo Fang-Yuh (Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei 116, Taiwan) ,  Chang Huang-Wei (Department of Applied Physics, Tunghai University, Taichung 407, Taiwan) ,  Lin Wen-Chin (Department of Physics, National Taiwan Normal University, Taipei 116, Taiwan)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 432  ページ： 90-95  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁性の電場制御は磁気記憶貯蔵,センサ及びスピントロニクスにおける多くの潜在的用途を持っている。強誘電(FE),強磁性(FM)材料を含むエピタキシャルヘテロ構造はかなり大きな磁気電気効果を利用したデバイスの実現に向けた可能な経路の一つである。本研究では,電子ビーム蒸着とパルスレーザ蒸着によるSrTiO_3(111)基板上にマルチフェロイック複合体強磁性体/フェライト/強誘電体薄膜を作製した。このシステムは体心立方Fe,スピネルNCZF(Ni_0 0.25Cu_0 0.05Zn_0 7Fe_1 0.96O_3 0.96)とペロブスカイトPZT(PbZr_0 0.52Ti_0Ti0.48O_3)の間の界面の典型的な例を示した。これらヘテロ構造へのバイアス電圧の関数として測定した磁気電気効果は磁気光学Kerr効果(MOKE)により調べた。保磁力(H c)はかなり減少し電圧を印加した。Hc値は印加電圧は正または負と可逆性を実証したかどうかを同様な変化を示した。歪結合仲介磁気電気効果と局所加熱効果はH C変動の可能な起源であると考えられる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 強磁性 ,  磁気記録 ,  電子ビーム蒸着 ,  *薄膜 ,  エピタクシー ,  スピントロニクス ,  保磁力 ,  強磁性体 ,  磁気電気効果 ,  *磁性 ,  フェライト ,  パルスレーザ蒸着 ,  電圧
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  磁性材料  (NA04040H) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： Fe ,  PZT ,  薄膜 ,  磁性 ,  電場効果