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J-GLOBAL ID：201802215966725337   整理番号：18A0195399

第2高調波抑制を用いた全モード基板集積導波路型高出力増幅器【Powered by NICT】

Full mode substrate integrated waveguide type high power amplifier with second harmonic suppression

著者 (2件)： Diatta Djitiningo Thierry Joel (Electrical Engineering, University of Quebec in Rimouski, 300 alle ́e des Ursulines, Rimouski, Que ́bec, Canada) ,  Park Chan-Wang (Electrical Engineering, University of Quebec in Rimouski, 300 alle ́e des Ursulines, Rimouski, Que ́bec, Canada)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： APMC  ページ： 992-994  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積導波路型高出力増幅器10W完全モード基板を紹介した。整合回路をマイクロストリップへSIW転移とSIW帯域通過フィルタを設計した。基本周波数2.18GHzでの整合ネットワークを実現するために,誘導金属化後SIW帯域通過フィルタで使用されている。整合回路の入力と出力として2.18GHzの2~Nd高調波を抑制するために適用した完全モードSIWバンドパスフィルタ。周波数2.18GHzおよび4.36GHzにおけるSIW帯域通過フィルタの挿入損失測定はそれぞれ0.86dBおよび34.58dBである。SIW HPAはGaNトランジスタを用いた2.18GHzの周波数で設計・製作した。40.02dBmの出力で電力付加効率のこの測定は2.18GHzで 13.0dBの利得と60.7%であった。ミリ波における4Gロングタームエボリューション(LTE)と5Gシステムでは,これは同じ基板における統合による受動回路の他のSIW型で用いることができる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  *電力増幅器 ,  *高調波 ,  *導波路 ,  整合器 ,  周波数 ,  電力付加効率 ,  挿入損 ,  EHF波 ,  利得 ,  マイクロストリップ線路 ,  帯域フィルタ
準シソーラス用語： 受動回路 ,  LTE【通信】 ,  *第二高調波 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (3件)： 第2高調波 ,  基板集積導波路 ,  出力増幅器