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J-GLOBAL ID：201802216036802486   整理番号：18A0474845

半導体発光ダイオードの電子ホログラフィー研究【Powered by NICT】

Electron Holographic Study of Semiconductor Light-Emitting Diodes

著者 (3件)： Li Luying (Center for Nanoscale Characterization & Devices (CNCD), Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO), Huazhong University of Science and Technology (HUST), Luoyu Road 1037, Wuhan, 430074, P. R. China) ,  Hu Xiaokang (Center for Nanoscale Characterization & Devices (CNCD), Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO), Huazhong University of Science and Technology (HUST), Luoyu Road 1037, Wuhan, 430074, P. R. China) ,  Gao Yihua (Center for Nanoscale Characterization & Devices (CNCD), Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO), Huazhong University of Science and Technology (HUST), Luoyu Road 1037, Wuhan, 430074, P. R. China)
資料名： Small  (Small)
巻： 14  号： 6  ページ： ROMBUNNO.201701996  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 特にGaN系ヘテロ構造,半導体発光ダイオード(LED)を光照射で広く使用されている。ウルツ鉱型結晶構造の反転対称性とヘテロ界面での格子不整合の欠如は,自発分極と圧電分極の両方からの寄与,明確な量子閉込めStark効果を生じた大きな分極場を引き起こす。局所静電場とバンド配列に誘起された電荷再分布はヘテロ構造を横切る定量できれば,この効果を軽減することが可能である。本概念では,半導体LEDを調べるために電子線ホログラフィーの応用を要約した。軸外し電子ホログラフィー法に続いて,InGaN/GaN量子井戸,他のGaN系量子井戸,およびその他のGaN系LED材料を含むGaN系LEDヘテロ構造を考察し,局所ポテンシャル降下,分極場,及び電荷分布に焦点を当てた。さらに,GaAs系LEDヘテロ構造を簡単に議論した。インライン電子ホログラフィー法は高空間分解能と精度,それらの電気的および光学的特性の更なる改善のためのLEDデバイスの全体的なナノメートル規模の視点を提供するために定量的静電測定と他の先進透過型電子顕微鏡キャラクタリゼーションと組み合わせたLEDヘテロ構造を横切る大面積歪マッピングの可能性を強調した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  *発光ダイオード ,  窒化ガリウム ,  光学的性質 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  *半導体 ,  電荷分布 ,  ヒ化ガリウム ,  透過型電子顕微鏡 ,  量子井戸 ,  格子不整合 ,  圧電気
準シソーラス用語： InGaN ,  ヘテロ構造 ,  *電子線ホログラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 静電ポテンシャル ,  インライン電子ホログラフィー ,  軸外電子ホログラフィー ,  半導体発光ダイオード ,  ひずみ

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 発光ダイオード ,  電子ホログラフィー ,  研究