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J-GLOBAL ID：201802216037642504   整理番号：18A2230616

背面照射GaAs OPFET:高可視/UVコントラスト光検出器【JST・京大機械翻訳】

Back-illuminated GaAs OPFET: A High Visible/UV Contrast Photodetector

著者 (2件)： Gaitonde Jaya V. (Dept. of Electronics and Telecommunication, Goa Engineering College, Farmagudi-Ponda, Goa, India) ,  Lohani R. B. (Dept. of Electronics and Telecommunication, Goa Engineering College, Farmagudi-Ponda, Goa, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICEDSS  ページ： 156-161  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 能動層-基板界面にファイバを挿入することにより素子を背面照射したとき,GaAs光電界効果トランジスタ(OPFET)または光制御金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)におけるUV-可視光照射下での高紫外(UV)除去を報告した。これは,UVにおけるGaAsの吸収係数の差と,後方照射された素子による可視領域に起因する。本論文では,徹底的解析を提供した。結果は光伝導と光起電力効果を説明する理論モデルに基づいている。二つの異なるゲート材料(金(Au)とインジウム-すず-酸化物(ITO))を考慮した可視/UVコントラスト光検出器応用のためのGaAs OPFET素子を構造的に最適化した。可視応答性と暗電流も最適化のために考慮した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 暗電流 ,  界面 ,  酸化物 ,  吸収係数 ,  光起電力効果 ,  最適化 ,  *光検出器 ,  *ヒ化ガリウム ,  光制御 ,  *コントラスト ,  応答特性 ,  光伝導
準シソーラス用語： 理論モデル ,  可視領域 ,  可視光照射 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 背面 ,  GaAs ,  コントラスト ,  光検出器