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J-GLOBAL ID：201802216086951945   整理番号：18A0968234

カーボンナノチューブアレイマイクロバンドルの高電流密度と低放出電界【JST・京大機械翻訳】

High current density and low emission field of carbon nanotube array microbundle

著者 (7件)： Zhang Quan (Laboratory of Nanomaterial and Technology, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Wang Xi-juan (Laboratory of Nanomaterial and Technology, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Meng Peng (Laboratory of Nanomaterial and Technology, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Yue Hong-xin (Laboratory of Nanomaterial and Technology, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Zheng Rui-ting (Laboratory of Nanomaterial and Technology, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Wu Xiao-ling (Laboratory of Nanomaterial and Technology, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Cheng Guo-an (Laboratory of Nanomaterial and Technology, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 1  ページ： 013101-013101-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブからの電界電子放出はデバイスにおける有望な応用可能性を示す。カーボンナノチューブと基板との間の低い接着結合強度は,高電界放出電流密度のような環境における実用的な挑戦を提示する。本論文では,均一な接着剤層によりタングステン針に付着したカーボンナノチューブマイクロバンドルの性能について報告する。この素子は複雑な固定具なしで容易に作製でき,完全なアレイ構造を持っている。空気中で接着剤を硬化させた後,カーボンナノチューブと針の間の接着強度は2000N/cm2以上である。電界放出測定は,エミッタの最大電流密度が低い印加磁場(<0.4V/μm)下で20A/cm2以上であることを実証した。高電流密度,低放出電界,および良好な安定性を有するエミッタは,フラットディスプレイ,X線管,およびランプにおいて広い範囲の応用がある。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接着強さ ,  *電流密度 ,  電界放出 ,  タングステン ,  X線管 ,  接着剤 ,  固定具 ,  *電場 ,  *カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： 印加磁場 ,  *高電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高電流密度 ,  低放出 ,  電界