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J-GLOBAL ID:201802216100336671   整理番号:18A0586515

DA FTL:動的連想フラッシュ翻訳層【Powered by NICT】

DA-FTL: Dynamic associative flash translation layer
著者 (2件):
資料名:
巻: 2017  号: CADS  ページ: 1-5  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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技術の増大する成長を考慮して,システムの種々の構成要素はより高度な日になっている,統計と報告によれば,最も進歩は,プロセッサの分野で行われている。全てこれらの進歩にもかかわらず,計算機システムは遅延とスローネスのを受け,注目されている唯一の断面は,メモリ,特にデータ貯蔵部であることを観測した。近年では,多くの不揮発性メモリ,その各々が彼ら自身の能力と欠点を持っているが高まっている。しかし,市場における最終的に競合を支配していることをメモリは不揮発性フラッシュメモリした。後,このような記憶の貯蔵システムに用い,固相駆動の技術は,従来のハードディスクドライブを置き換えるために出現した。この新しい技術の出現は多くの課題と関連している。いくつかの応用では,ラップトップのような,増加した寿命は主要な課題ではないが,MLC(マルチレベルセル)技術に基づいた多くの応用において,増加した寿命は非常に重要なパラメータである。制御アルゴリズムのメモリの寿命のエロージョンと還元を生じる付加的(書込み/消去)操作を回避し,メモリブロックの効率と寿命を増加させるために,この貯蔵システムのフラッシュ変換層(FTL)部分が提供されている。本論文では,データブロックによる最新情報ブロックの結合を動的に制御すると完全併合操作における書き込みと消去操作のコストを減少させる新しいFTLを提示した。この解は最終的に記憶ブロックの寿命を増加させた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
分類
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半導体集積回路 
タイトルに関連する用語 (3件):
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