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J-GLOBAL ID：201802216144368493   整理番号：18A1597933

前方ゲート電流ブロッキング法によるGaN Doherty増幅器の線形性強化【JST・京大機械翻訳】

Linearity enhancement of GaN Doherty amplifier by forward gate current blocking method

著者 (3件)： Khalil Ibrahim (NXP Semiconductors, Chandler, AZ85224, USA) ,  Srinidhi Embar R. (NXP Semiconductors, Chandler, AZ85224, USA) ,  Tucker Geoffery (NXP Semiconductors, Chandler, AZ85224, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IMS  ページ： 819-821  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,順方向ゲート電流ブロッキングの実装によるGaNベースのDoherty電力増幅器(DPA)における線形性増強を調べた。ゲート電流を制限するための簡単なp-nダイオードを用いて,広帯域,高ピーク対平均比変調信号,例えばLTEなどの開ループとディジタル予歪(DPD)線形性の両方を改善した。順方向ゲート電流ブロッキング(FCB)は,正のゲート電流が観測され,RFトランジスタの非線形動作をもたらす通常のIII-V HEMT技術と互換性がある。正のゲート電流を遮断することによって,波形クリッピングをデバイスゲートノードで軽減した。結果として,動的バイアスを通して,トランジスタ入力における実効ゲートバイアスを,GaN素子に固有のゲートSchottkyダイオードの非線形領域に入るRF入力信号ピークを制限して調整した。提案した技術は,4つの20MHz LTEキャリアを適用した場合,隣接チャネルにおけるDPD補正線形性において3dBc以上の改善を実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 広帯域 ,  バイアス ,  互換性 ,  *ブロッキング ,  ディジタル方式 ,  電力増幅器 ,  *線形性 ,  HEMT ,  トランジスタ ,  *窒化ガリウム ,  予歪 ,  開ループ系 ,  ダイオード
準シソーラス用語： クリッピング ,  *ゲート電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 医用画像処理  (JE04020T) ,  音声処理  (JE05000E) ,  NMR一般  (BM07041R) ,  符号理論  (ND02030R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート電流 ,  ブロッキング ,  GaN ,  Doherty増幅器 ,  線形性 ,  強化