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J-GLOBAL ID:201802216254352069   整理番号:18A1028501

ZnTe正孔接触と不動態化層を持つ単結晶CdTe/MgCdTeダブルヘテロ構造太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Monocrystalline CdTe/MgCdTe double-heterostructure solar cells with a ZnTe hole-contact and passivation layer
著者 (9件):
資料名:
巻: 2017  号: PVSC  ページ: 1-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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単結晶p-ZnTe/i-MgCdTe/n-MgCdTe二重ヘテロ構造(DH)太陽電池を,MBEとMOCVD堆積技術の組合せにより,いくつかの異なるドーパントを用いて成長させた。不動態化層として機能する真性MgCdTeトップバリア層を有するDHを用いることにより,格子不整合ZnTe/CdTeヘテロ界面の逆効果(高界面再結合速度)を抑制した。定常状態光ルミネセンス強度を用いて,以前のZnTe/CdTeおよびa-Si/i-MgCdTe/CdTe素子構造との潜在的な素子性能を比較し,量子効率測定により,以前に実証された接触層に対するZnTeの使用の利点を実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  半導体のルミネセンス 

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