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J-GLOBAL ID：201802216264338404   整理番号：18A0405022

異なる界面閉込め下でのSi/Geコア-シェルナノワイヤにおけるキャリア移動度増強の調節【Powered by NICT】

Modulation of the carrier mobility enhancement in Si/Ge core-shell nanowires under different interface confinements

著者 (2件)： He Yan (Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Structures and Quantum Control of Ministry of Education, Synergetic Innovation Center for Quantum Effects and Applications (SICQEA), Hunan Normal University, Changsha, 410081, China. [e-mail]) ,  Ouyang Gang
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 20  号： 6  ページ： 3888-3894  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siナノワイヤ(SiNW)におけるキャリア移動度の増大に及ぼす界面拘束の影響の理論的解析は高効率Si系オプトエレクトロニクスデバイスの設計と開発における重要な側面の一つである。ここでは,原子結合緩和相関機構と連続媒体力学の点で異なる界面閉じ込め下でのSiNWのための分析法を提案した。さらに,キャリア移動度と結合恒等式の間の関係の解析式を導出し,その結果を関連する実験測定で検証した。SiNWのサイズ減少はエネルギーバンドギャップを増大させるが,またフォノンおよび表面粗さ散乱を増強し,キャリア移動度の低下を可能にすることが分かった。さらに,Ge被覆層内に埋め込まれた異なる配向をもつSiNWにおける温度依存キャリア移動度に関する基礎となる機構が明らかにされ,それは望ましい応用のためのSiベースのナノ構造の輸送特性を調節する経路を提供する。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 散乱 ,  温度依存性 ,  *ケイ素 ,  媒質 ,  バンドギャップ ,  フォノン ,  緩和現象 ,  被覆層 ,  *ナノワイヤ ,  *キャリア移動度 ,  *ゲルマニウム ,  *界面
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  光電子デバイス ,  高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 界面 ,  閉込め ,  Si ,  Ge ,  コア-シェル ,  ナノワイヤ ,  キャリア移動度 ,  増強 ,  調節