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J-GLOBAL ID：201802216324777727   整理番号：18A0129302

界面欠陥によって促進される二水素のヘテロリシス解離吸着状態【Powered by NICT】

Heterolytic dissociative adsorption state of dihydrogen favored by interfacial defects

著者 (6件)： Song Zhenjun (College of Chemistry, Key Laboratory of Advanced Energy Material Chemistry (Ministry of Education) and Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering (Tianjin), Nankai University, Tianjin 300071, China) ,  Hu Hanshi (Department of Chemistry & Key Laboratory of Organic Optoelectronics and Molecular Engineering of Ministry of Education, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Xu Hu (Department of Physics, South University of Science and Technology of China, Shenzhen 518055, China) ,  Li Yong (Institute of Applied and Physical Chemistry, University of Bremen, Bremen 28359, Germany) ,  Cheng Peng (College of Chemistry, Key Laboratory of Advanced Energy Material Chemistry (Ministry of Education) and Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering (Tianjin), Nankai University, Tianjin 300071, China) ,  Zhao Bin (College of Chemistry, Key Laboratory of Advanced Energy Material Chemistry (Ministry of Education) and Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering (Tianjin), Nankai University, Tianjin 300071, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 433  ページ： 862-868  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面欠陥をもつモリブデン基板上に蒸着したMgO(001)表面上の二水素への原子スケールの洞察を密度汎関数法を用いて詳細に調べた著者らは通常不活性酸化物表面上の単一水素分子の新規解離吸着挙動を報告し,二種類の解離スキームのを考慮したここで。二水素のヘテロリシス解離状態Mg(H)-O(H)-が完全であるバルクMgO(001)テラスの隣接OMgサイトに得ることは不可能である。通常とは異なり,水素分子は非常に低い活性化障壁(0.398eV)と金属担持されたMgO(001)膜上のヘテロリシスフラグメンテーション状態を形成し,ヘテロリシス解離状態は,すべての場合においてエネルギー的及び動力学的の両方ともホモリチック解離状態よりはるかに有利であった。吸着質と酸化物-金属ハイブリッド構造の電子的性質と結合属性状態,微分電荷密度,軌道相互作用と電子局在化関数の密度を解析することにより明らかにした。マグネシア(001)の特性と活性に特徴的な変化は,触媒反応への応用の可能性を持つことができる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化物 ,  密度汎関数法 ,  モリブデン ,  *界面 ,  複合構造 ,  酸化マグネシウム ,  *解離吸着
準シソーラス用語： 局在化 ,  電荷密度 ,  吸着質 ,  活性化障壁 ,  水素分子 ,  酸化物表面 ,  *ヘテロリシス ,  *界面欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 不均一解離 ,  二水素 ,  マグネシア ,  界面 ,  欠陥 ,  密度汎関数理論

分類 (4件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の金属組織学  (WB01040Y) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 界面欠陥 ,  促進 ,  水素 ,  ヘテロリシス ,  解離吸着