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J-GLOBAL ID：201802216360293155   整理番号：18A0446862

局所相互接続のためのPt塩をドープしたカーボンナノチューブの物理学ベースの研究【Powered by NICT】

A physics-based investigation of Pt-salt doped carbon nanotubes for local interconnects

著者 (21件)： Liang J. (CNRS/LIRMM-University of Montpellier, France) ,  Ramos R. (University Grenoble Alpes/CEA-LITEN, France) ,  Dijon J. (University Grenoble Alpes/CEA-LITEN, France) ,  Okuno H. (University Grenoble Alpes/CEA-INAC, France) ,  Kalita D. (University Grenoble Alpes/CEA-INAC, France) ,  Renaud D. (University Grenoble Alpes/CEA-LITEN, France) ,  Lee J. (School of Engineering, University of Glasgow, UK) ,  Georgiev V. P. (School of Engineering, University of Glasgow, UK) ,  Berrada S. (School of Engineering, University of Glasgow, UK) ,  Sadi T. (School of Engineering, University of Glasgow, UK) ,  Asenov A. (School of Engineering, University of Glasgow, UK) ,  Uhlig B. (Fraunhofer IPMS, Dresden, Germany) ,  Lilienthal K. (Fraunhofer IPMS, Dresden, Germany) ,  Dhavamani A. (Fraunhofer IPMS, Dresden, Germany) ,  Konemann F. (IBM Research Zurich, Switzerland) ,  Gotsmann B. (IBM Research Zurich, Switzerland) ,  Goncalves G. (Aixtron Ltd., Cambridge, UK) ,  Chen B. (Aixtron Ltd., Cambridge, UK) ,  Teo K. (Aixtron Ltd., Cambridge, UK) ,  Pandey R. R. (CNRS/LIRMM-University of Montpellier, France) ,  Todri-Sanial A. (CNRS/LIRMM-University of Montpellier, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 35.5.1-35.5.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子論的回路モデリング法と共に物理的および電気的測定を組み合わせることにより,ドープしたカーボンナノチューブ(CNT)のコンダクタンスと次世代バックエンドオブライン(BEOL)相互接続のための可能な候補としての適格性を調べた。ab initioシミュレーションは,Fermi準位,シェルキラリティー変動を低減するのドーピング関連シフトを予測し,半導性シェルを変換する金属への90%までの電気伝導度を改善した。回路レベルシミュレーションをドープした対純粋CNTを88%まで信号遅延改善を予測した。Pt塩をドープしたCNTの電気的測定は,将来のCNT相互接続技術のマイルストーン結果である抵抗低減の最大50%を提供した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： Fermi準位 ,  シミュレーション ,  *ドーピング ,  半導性 ,  *白金 ,  コンダクタンス ,  モデリング ,  電気伝導率 ,  電気測定 ,  *相互接続
準シソーラス用語： 抵抗低減 ,  BEOL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 相互接続 ,  Pt ,  塩 ,  ドープ ,  カーボンナノチューブ ,  物理学 ,  研究