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J-GLOBAL ID：201802216399114409   整理番号：18A0633941

Si面SiC上ゲート絶縁膜に対するN₂雰囲気中での高温熱処理による界面窒化プロセスとその欠陥低減効果

著者 (6件)： 朝羽俊介 (東芝 研究開発セ) ,  伊藤俊秀 (東芝 研究開発セ) ,  深津茂人 (東芝 研究開発セ) ,  中林幸雄 (東芝 研究開発セ) ,  清水達雄 (東芝 研究開発セ) ,  飯島良介 (東芝 研究開発セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.20a-D103-10  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  半導体材料 ,  *ゲート絶縁膜 ,  窒素 ,  熱処理 ,  *窒化 ,  *表面欠陥 ,  表面処理 ,  MOSFET
準シソーラス用語： 高温熱処理

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (11件)： Si ,  SiC ,  ゲート絶縁膜 ,  N2 ,  雰囲気 ,  温熱処理 ,  界面 ,  窒化 ,  プロセス ,  欠陥 ,  低減効果