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J-GLOBAL ID：201802216495825192   整理番号：18A2107884

シリコンp+/nダイオード特性に及ぼす白金-水素錯体の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Platinum-Hydrogen Complexes on Silicon p+/n-Diode Characteristics

著者 (4件)： Prohinig Jennifer (KAI Kompetenzzentrum Automobil- u. Industrieelektronik GmbH, Villach, 9524, Austria) ,  Rasinger Fabian (KAI Kompetenzzentrum Automobil- u. Industrieelektronik GmbH, Villach, 9524, Austria) ,  Schulze Hans-Joachim (Infineon Technologies AG, Munich, 81726, Germany) ,  Pobegen Gregor (KAI Kompetenzzentrum Automobil- u. Industrieelektronik GmbH, Villach, 9524, Austria)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： CAS  ページ： 223-226  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p+/nシリコンダイオードにおける深準位不純物を深準位過渡分光法(DLTS)を用いて調べた。3つの異なる深い準位が観察された。2つの電子トラップは伝導帯の下に0.23eVと0.50eVに位置し,正孔トラップは価電子帯の上に0.36eVにトラップされた。不純物は白金及び白金-水素関連欠陥として同定された。電流電圧(IV)と容量電圧(Cv)特性から,発生寿命と飽和拡散電流を得た。逆IV特性を用いてPt-H錯体の深さプロフィルを計算した。すべての測定は,Pt-H錯体のような中間バンドギャップトラップが逆に漏れ電流を増加させ,順方向動作における非理想因子を増加させることを示すために一緒に行われる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  *錯体 ,  *ダイオード ,  価電子バンド ,  *白金 ,  深い準位 ,  電圧 ,  伝導バンド ,  深さプロフィル ,  電流 ,  不純物 ,  深準位過渡分光法
準シソーラス用語： 理想因子 ,  中間バンド ,  正孔トラップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： NMR一般  (BM07041R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  医用画像処理  (JE04020T)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  ダイオード特性 ,  白金 ,  水素 ,  錯体