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J-GLOBAL ID：201802216714401885   整理番号：18A1576237

RF反応性マグネトロンスパッタリングによるZnO薄膜調製のプロセス研究【JST・京大機械翻訳】

Process parameters of ZnO films deposited by RF reactive magnetron sputtering

著者 (2件)： Chang Hong (核工業西南物理研究院,四川 成都,610041) ,  Xu Shaojun (川慶鑽探工程有限公司地質勘探開発研究院,四川 成都,610051)
資料名： Dianzi Yuanjian yu Cailiao  (Dianzi Yuanjian yu Cailiao)
巻： 37  号： 6  ページ： 18-22  発行年： 2018年 
JST資料番号： C2506A  ISSN： 1001-2028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ZnOは,低い調製コストと優れた圧電特性のため,薄膜バルク音波装置で広く使われている。酸化亜鉛(ZnO)薄膜を,Si(100)基板上にRF反応性マグネトロンスパッタリングによりAu基板上に蒸着した。X線回折(XRD),原子間力顕微鏡(AFM)およびステップメータを用いて,膜の結晶構造,表面形態,および厚みを特性評価した。スパッタリングパワー,スパッタリング圧力,スパッタリング雰囲気がZnO薄膜の構造に及ぼす影響を調べ,スパッタリングパワーと薄膜の形態と厚さとの関係を検討した。結果は,スパッタリングパワーが200W,スパッタリング圧力が0.8Pa,酸素アルゴンの体積流量比が0.4のとき,ZnO薄膜のc軸配向は最高で,表面粗さは最低であり,圧電デバイスに使用できることを示した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 圧電素子 ,  結晶構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  *薄膜 ,  *酸化亜鉛 ,  キャラクタリゼーション ,  基板 ,  *スパッタリング ,  X線回折 ,  形態
準シソーラス用語： c軸配向 ,  表面形態 ,  シリコン(100) ,  圧電特性 ,  *反応性マグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ZnO films ,  reactive sputtering ,  crystal structure ,  sputtering process ,  surface topography ,  film thickness

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  ZnO薄膜 ,  調製 ,  プロセス ,  研究