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J-GLOBAL ID:201802216786769621   整理番号:18A2075376

透明導電性高分子を用いたAl合金化BSFおよびAgフリーマルチワイヤメタライゼーションによる2O_3:F/(n+PP+)c-Si/Al太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Concentrator In2O3:F/(n+pp+)c-Si/Al solar cells with Al-alloyed BSF and Ag-free multi-wire metallization using transparent conductive polymers
著者 (3件):
資料名:
巻: 174  ページ: 1008-1015  発行年: 2018年 
JST資料番号: E0099A  ISSN: 0038-092X  CODEN: SRENA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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費用対効果の低い低集光器c-SiベースPVシステムは,著しい商業的ブレークスルーなしで30年以上開発されている。これに対する一つの主要な理由は,このような応用のためのSiセルのコストと利用可能性である。標準SiN_x/(n+pp+)c-Si/Al構造を用いて,Pドープn+-エミッタとスクリーン印刷Al-合金Al-p+背面場(BSF)を用いた高効率低集光器結晶シリコン(c-Si)太陽電池を開発した。Agを含まないマルチワイヤメタライゼーションを透明導電性高分子を用いて適用した。著者らは,Cz-Siとmc-Siの両方に基づく7つのグループの太陽電池構造を調査し,コンベヤベルト炉における種々のピーク焼成温度(T_F)を有するBSF形成プロセスによって製造した。T_Fは20°C段階で820,940°Cの範囲で変化した。構造の表面形態を走査電子顕微鏡で調べた。外部量子効率,反射スペクトル,シート抵抗,Suns-V_ocおよび照射下の電流-電圧依存性を研究した。T_F=860°Cで得られた構造を,インジウムフッ素オキシド(IFO)/(n~+pp~+)c-Si/アール構造に基づく低集光器太陽電池の作製に用いた。不動態化及び反射防止電極として作用する透明導電性IFO膜を超音波噴霧熱分解により成長させた。銅ワイヤ接触パターンを,透明導電性高分子膜(積層格子セル(LGCell)設計)を用いて,前面(IFO)および後部(Al)層に同時に低温積層により付着させた。Cz-Si/mc-Siからの最良のLGCellsは,1~12suns/1~10sunsの操作範囲で18.3~19.2%/15.9~16.7%の効率を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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太陽電池 

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