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J-GLOBAL ID：201802216788190260   整理番号：18A2153883

2D電子状態の光電子放出応答【JST・京大機械翻訳】

Photoemission response of 2D electron states

著者 (1件)： Strocov V.N. (Swiss Light Source, Paul Scherrer Institute, CH-5232, Villigen-PSI, Switzerland)
資料名： Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena  (Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena)
巻： 229  ページ： 100-107  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0266C  ISSN： 0368-2048  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)電子状態の光子エネルギー(hv)依存ARPES応答をそれらの波動関数に直接関係づける,光電子放出過程のluc様Fourier解析に基づく記述を示した。バルクBloch波(Shockley-Tamm型表面または界面状態を含む)の量子閉込めによって形成された状態と量子井戸状態は,hvの関数としてARPES強度の周期的ピークを示した。これらのピークの振幅は波動関数の振動Bloch波成分のFourier級数とそのエンベロープ関数の空間閉込めの広がりを反映する。対照的に,局所軌道(表面または界面におけるダングリングボンドと欠陥)によって形成された2D状態は非周期的hv依存性を示し,そこでは減衰速度は面外方向におけるこれらの状態の局在化を反映する。この定式化は,異なる2D状態の基本的性質にアクセスするための簡単な方法論を設定する。これは,パラダイムAl(100)表面状態,多層グラフェン中の量子井戸状態,および埋め込まれたGaAlN/GaN界面,および分子軌道を含む以前の光電子放出実験データの解析によって説明される。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 分子軌道 ,  *光電子放出 ,  定式化 ,  表面準位 ,  界面 ,  *二次元 ,  ダングリングボンド ,  エンベロープ ,  量子閉込め ,  窒化ガリウム ,  波動関数 ,  *電子状態 ,  量子井戸
準シソーラス用語： 多層グラフェン ,  局在化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 角度分解光電子分光法(ARPES) ,  電子バンド構造と波動関数 ,  量子閉込め ,  表面状態 ,  量子井戸状態

分類 (2件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 2D ,  電子状態 ,  光電子放出 ,  応答