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J-GLOBAL ID：201802216932168118   整理番号：18A1778632

熱光起電力応用のための室温でのGaSb-p+/GaSb-P/GaSb-n+/GaSb-n構造性能の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of the GaSb-p⁺/GaSb-p/GaSb-n⁺/GaSb-n structure performances at room temperature, for thermo-photovoltaic applications

著者 (8件)： Meharrar F.Z. (Laboratoire de Physique des Plasmas, Materiaux Conducteurs et leurs Applications, Faculte de physique, Universite des Sciences et de la Technologie d’Oran-Mohamed Boudiaf, USTO-M.B., B.P 1505, El-M’naouer, Oran, 31000, Algeria) ,  Belfar A. (Laboratoire de Physique des Plasmas, Materiaux Conducteurs et leurs Applications, Faculte de physique, Universite des Sciences et de la Technologie d’Oran-Mohamed Boudiaf, USTO-M.B., B.P 1505, El-M’naouer, Oran, 31000, Algeria) ,  Aouad I. (Laboratoire de Physique des Plasmas, Materiaux Conducteurs et leurs Applications, Faculte de physique, Universite des Sciences et de la Technologie d’Oran-Mohamed Boudiaf, USTO-M.B., B.P 1505, El-M’naouer, Oran, 31000, Algeria) ,  Giudicelli E. (Univ. Montpellier, IES, UMR5214, F-34000, Montpellier, France) ,  Giudicelli E. (CNRS, IES, UMR5214, F-34000, Montpellier, France) ,  Cuminal Y. (Univ. Montpellier, IES, UMR5214, F-34000, Montpellier, France) ,  Cuminal Y. (CNRS, IES, UMR5214, F-34000, Montpellier, France) ,  Aiet-kaci H. (Laboratoire de Physique des Plasmas, Materiaux Conducteurs et leurs Applications, Faculte de physique, Universite des Sciences et de la Technologie d’Oran-Mohamed Boudiaf, USTO-M.B., B.P 1505, El-M’naouer, Oran, 31000, Algeria)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 175  ページ： 138-147  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文において,室温での熱光起電力応用のためのGaSb-p+/GaSb-p/GaSb-n+/GaSb-n構造を,可変gen II固体源機械における分子ビームエピタクシー(MBE)技術により作製した。直接バイアスにおいて,暗所と光条件下でのこの構造のJ(V)特性を数値シミュレーションにより研究し,実験測定と比較した。素子のスペクトル応答(SR)も計算し,調べた。シミュレーションのために,AMPS-1Dソフトウェアプログラムを用いて,前面接触障壁高さ(φ_b0)(金属/GaSb-p+層界面における障壁),GaSb活性領域におけるドーピング濃度(Na)およびこの同じ層の厚さ(d)のような3つのパラメータの影響を調べた。著者らの数値計算により,暗条件および光条件下での実験およびシミュレーションJ(V)特性は,φ_b0が0.24eV,Naが約10~15cm-3のときに良く一致することを示した。3μmの活性ゾーン厚さを有するφ_b0とNaのこれらの後期値は,短絡電流(J_SC=19.21mA/cm2),開回路電圧(V_OC=0.23V),充填因子(FF=0.67)および効率(E_ff=3%)のようなセルの外部パラメータに対して最良の結果を与えた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  シミュレーション ,  数値計算 ,  接合 ,  ナトリウム ,  短絡電流 ,  ドーピング ,  ソフトウェア ,  一次元 ,  *アンチモン化ガリウム ,  バイアス ,  MBE成長
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  開回路電圧 ,  障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： GaSb ,  熱光起電力電池 ,  p-n接合 ,  J(V)特性 ,  スペクトル応答 ,  バリア高さ ,  AMPS-1D ,  光条件

分類 (1件)： 非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱光起電力 ,  応用 ,  室温 ,  GaSb ,  構造性能 ,  解析