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J-GLOBAL ID：201802216965665064   整理番号：18A0145962

ナノスケールレベルでの分極電荷の直接プロービング【Powered by NICT】

Direct Probing of Polarization Charge at Nanoscale Level

著者 (11件)： Kwon Owoong (School of Advanced Materials and Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Seol Daehee (School of Advanced Materials and Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Lee Dongkyu (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Han Hee (Korea Research Institute of Standards and Science (KRISS), Daejeon, 34113, South Korea) ,  Lindfors-Vrejoiu Ionela (II. Physikalisches Institut, University of Cologne, Cologne, 50937, Germany) ,  Lee Woo (Korea Research Institute of Standards and Science (KRISS), Daejeon, 34113, South Korea) ,  Jesse Stephen (The Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Lee Ho Nyung (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Kalinin Sergei V. (The Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Alexe Marin (Department of Physics, University of Warwick, Coventry, CV4 7AL, UK) ,  Kim Yunseok (School of Advanced Materials and Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 1  ページ： ROMBUNNO.201703675  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電材料は複数アプリケーションに使用可能な自発分極を有していた。デバイスのサイズ低減の長期的開発のために,強誘電体材料とデバイスの調製はナノメートルスケール領域に入りつつある。,強誘電性を評価するために,ナノスケールでの分極電荷を調べる必要がある。それにもかかわらず,一般的に原子間力顕微鏡(A FM)チップのナノメートルスケールの半径は,非常に低い信号対雑音比をもたらすためトップ電極無しに従来の導電性原子間力顕微鏡(CAFM)を用いて分極電荷の検出は不可能であることが知られている。しかし,検出したA FMチップの半径と,実際に,スイッチ領域の物質とは無関係であった。本研究では,ナノスケールでの分極電荷の直接プロービングは寄生容量を低減するために付加的な補正または回路なしの従来のCAFMアプローチに基づく正の上昇-負の下降法を用いて実証した。73.7及び119.0μC/cm~ 2の分極電荷密度は強誘電ナノキャパシタおよび薄膜における証明することに成功した。得られた結果は,ナノスケールでの分極電荷の評価の実現可能性を示し,ナノスケールでの強誘電性を評価するための新しいガイドラインを提供した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： SN比 ,  *原子間力顕微鏡 ,  強誘電性 ,  応用プログラム ,  自発分極 ,  漂遊容量 ,  薄膜 ,  スイッチ
準シソーラス用語： CAFM ,  導電性原子間力顕微鏡 ,  *ナノスケール ,  *プロービング ,  *分極電荷 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 導電性原子間力顕微鏡観察 ,  ナノスケール ,  圧電応答力顕微鏡 ,  分極電荷 ,  正の負

分類 (5件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  高分子固体の構造と形態学  (CG02022M) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (1件)： 分極電荷