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J-GLOBAL ID：201802217324734905   整理番号：18A1895695

ホウ酸被覆半導体中性子検出器の効率-GEANT4シミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】

Efficiency of Boric acid coated semiconductor neutron detector - A GEANT4 simulation study

著者 (4件)： Parida Manoj Kumar (Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam, 603102, India) ,  Prabakar K. (Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam, 603102, India) ,  Prasanna G. (Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam, 603102, India) ,  Sundari S. Tripura (Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam, 603102, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： INDICON  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,モンテカルロ法に基づくGEANT4シミュレーションを行い,半導体中性子検出器のコンバータ材料としてホウ酸(H_3BO_3)の厚さを最適化し,熱エネルギー中性子の最大検出効率を達成した。検出器の構築は,検出媒体として作用するSi表面の上の層としてホウ酸を有する平面配置にある。ホウ酸中の10B含有量の異なる濃縮についてもシミュレーションを行った。結果は,最大検出効率0.73%が,10Bの100%濃縮で,5μmのコンバータ層厚で得られたことを示した。ホウ素との中性子相互作用により生成した電荷粒子によってSi中に堆積したエネルギーを表すヒストグラムは,100nm以下の厚さに対してのみ,7Liイオンに対して0.839MeV,αイオンに対して1.47MeVに対応する2つの明確で識別可能なピークを明らかにした。また,シリコンPINダイオード上のコンバータ材料としてホウ酸を被覆するための実験的試みを行い,核エレクトロニクスを用いて行った予備的中性子感度測定についても報告した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *中性子 ,  *ホウ酸 ,  ヒストグラム ,  荷電粒子 ,  電子技術 ,  変換器 ,  *被覆 ,  モンテカルロ法 ,  ホウ素 ,  ケイ素 ,  媒質 ,  *シミュレーション ,  最適化 ,  *半導体 ,  検出効率

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： ホウ酸 ,  中性子検出器 ,  Geant4 ,  シミュレーション ,  研究