同時分散性および共有結合性単分子層MOS_2/TiO_2クラスタヘテロ構造  それらの増強された光触媒活性への洞察【JST・京大機械翻訳】

Wang Gui-Fang; Huang Wei-Qing; Hu Wangyu; Peng Ping; Huang Gui-Fang

文献

J-GLOBAL ID：201802217442352676 整理番号：18A1617018

同時分散性および共有結合性単分子層MOS_2/TiO_2クラスタヘテロ構造それらの増強された光触媒活性への洞察【JST・京大機械翻訳】

Simultaneous dispersive and covalent monolayer MoS₂/TiO₂ cluster heterostructures: Insights into their enhanced photocatalytic activity

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巻： 121 ページ： 64-74 発行年： 2018年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

界面での電子移動の同調は,界面相互作用に大きく依存し,将来のエレクトロニクス,オプトエレクトロニクス,太陽エネルギー変換に望ましい性能を持つナノスケールのヘテロ構造を合理的に設計するのに最も重要である。ここでは,単層MoS_2とTiO_2クラスタの間の界面相互作用を調べ,それらのハイブリッドの増強された光触媒活性の機構を解明した。最初に,分散(van der Waals力)と共有相互作用の両方が,それらの相対的配向に依存する単層MoS_2/TiO_2クラスタのヘテロ構造中に同時に存在することを明らかにした。共有結合したヘテロ構造のTi-SとO=S結合および非共有結合ヘテロ構造の平坦バンドは,2つの成分間の光励起電荷キャリアの効果的な分離をもたらし,したがって,光触媒活性を増強した。小さなバンドギャップは,全可視光において強い光吸収を有するMoS_2/TiO_2クラスタのヘテロ構造を可能にした。さらに,触媒的に不活性な基底面におけるMoおよびS原子は,触媒活性部位に変化し,単分子層MoS_2を非常に活性な共触媒とした。これらの知見は,MoS_2/TiO_2ハイブリッドの増強された光触媒活性の背後にある不明な微視的機構を明らかにし,層状MoS_2ベースのヘテロ構造における界面相互作用のより良い理解に向けた系統的なステップを提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体薄膜

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同時分散性および共有結合性単分子層MOS_2/TiO_2クラスタヘテロ構造 それらの増強された光触媒活性への洞察【JST・京大機械翻訳】

同時分散性および共有結合性単分子層MOS_2/TiO_2クラスタヘテロ構造それらの増強された光触媒活性への洞察【JST・京大機械翻訳】