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J-GLOBAL ID：201802217463335342   整理番号：18A0432231

BaTiO_3中間層を持つ(Na_0 0.85K_0 15)_0.5Bi_0 5TiO_3膜の圧電および強誘電性能の増強【Powered by NICT】

Enhancement of piezoelectric and ferroelectric performances in (Na_0.85K_0.15)_0.5Bi_0.5TiO₃ films with BaTiO₃ interlayers

著者 (4件)： Wu Yunyi (Department of Energy Materials and Technology, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing, China) ,  Wang Xiaohui (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Zhong Caifu (College of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Li Longtu (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 38  号： 4  ページ： 1434-1441  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,(Na_0 0.85K_0 0.15)_0.5Bi_0 5TiO_3(NKBT)薄膜の電気的性能を最適化するために,20nm厚BaTiO_3(BTO)層はNKBT膜-基板界面における被覆意図的にまたはNKBT膜,すなわち,NBKT層の被覆したBTO層に利用した。NKBT膜で被覆した特別な,BTO層は結晶化プロセスにとって有益であり,緻密な膜形態を形成するために更に好ましいものであった。BTOコートされたNKBT複合膜はBTO層のない膜と比較して電気的性質の増大を示した。,高い有効圧電係数d_33~*75pm/Vと22.1μC/cm~2の残留分極P_rだけでなく,1.2×10~ 5cm~2の低い漏れ電流密度はNBKT膜で被覆したBTO層をもつ460nm厚の複合膜で得られた。はこの種BTOコートされたNKBT複合膜は無鉛圧電応用のための有望な候補として利用できることを意味した。BTO層の導入による電気的性質で観測された増強は主に膜-電極界面における分域ピン止めと膜-電極界面で減少した歪と高度に(110)配向したNKBT膜の良好な結晶性に起因する粒界の弱化影響により説明され,それによってドメイン壁の運動を増強することができた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 複合膜 ,  *強誘電性 ,  電気的性質 ,  *圧電気 ,  界面 ,  残留分極 ,  薄膜 ,  分域 ,  被覆 ,  結晶粒界 ,  結晶度 ,  ピン止め
準シソーラス用語： 電極界面 ,  漏れ電流密度 ,  圧電定数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： NKBT ,  複合膜 ,  BTO ,  電気的性質

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 中間層 ,  圧電 ,  強誘電性 ,  増強