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J-GLOBAL ID：201802217562464953   整理番号：18A0858936

超音波パルス応用のためのGaNベース高周波高エネルギー供給変圧器プッシュ-プルインバータ【JST・京大機械翻訳】

GaN-Based High-Frequency High-Energy Delivery Transformer Push-Pull Inverter for Ultrasound Pulsing Application

著者 (4件)： Peng Han (GE Global Research Center, Niskayuna, NY, USA) ,  Sabate Juan (GE Global Research Center, Niskayuna, NY, USA) ,  Wall Kieran Andrew (GE Global Research Center, Niskayuna, NY, USA) ,  Glaser John S. (Efficient Power Conversion Co., Albany, NY, USA)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 33  号： 8  ページ： 6794-6806  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超音波システムにおけるパルス発生器は,圧電変換器を駆動するための電気パルス信号を発生させ,それは結晶の機械的振動を引き起こし,音波を発生させる。従来のイメージング短パルスとは異なり,治療応用のための高出力超音波システムは数ミリ秒までのMHzパルスバーストを必要とする。効率的に有効電力を供給する多重MHzでの高電圧(±90V)スイッチングの能力は,実際のシステムにとって重要である。高いスイッチング周波数における低いデバイス損失の利点と高いパワー密度は,このようなシステムにおける従来のシリコン(Si)MOSFETよりも,窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタをより良いデバイスにする。本論文で示したGaNベース高周波変圧器プッシュ-プルインバータは,50msまでのバーストパルス長と180Vppの双極パルス振幅をもつ高エネルギー脈動出力を生成することができる。最大パルス周波数は10MHzまでである。ピーク出力は90Wで,パワー密度は50.85W/であった。すべての128パルサチャネルに対するピーク電力は,平均パワー192Wで11.5KWまで達した。これは,報告されているパルスドライバに対する最高出力パワーである。また,新しいパワートランジスタベースRFスイッチ回路を,画像信号,高電力信号,およびリターン信号の間のインタフェイスとして,この設計において提案した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *音波 ,  パルス発生器 ,  *エネルギー供給 ,  パルス幅 ,  *パルス ,  *変圧器 ,  バースト ,  スイッチング ,  超音波機器 ,  *HF【周波数】 ,  *窒化ガリウム ,  画像処理
準シソーラス用語： 電力密度 ,  スイッチング周波数 ,  高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  混成集積回路  (NC03163K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 音波パルス ,  応用 ,  GaN ,  高周波 ,  エネルギー供給 ,  変圧器 ,  プッシュ