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J-GLOBAL ID：201802217623893427   整理番号：18A1082406

パルス成形ネットワークにおける半導体デバイスの破壊と保護【JST・京大機械翻訳】

Breakdown and Protection of Semiconductor Device in a Sequentially Fired Pulse Forming Network

著者 (6件)： Li Zhenchao (中国電子科技集団公司第27研究所,河南鄭州,450047) ,  Jin Chaoliang (華中科技大学電气与電子工程学院強電磁工程与新技術国家重点実験室,湖北武漢,430074) ,  Dai Ling (華中科技大学電气与電子工程学院強電磁工程与新技術国家重点実験室,湖北武漢,430074) ,  Chen Chong (中国電子科技集団公司第27研究所,河南鄭州,450047) ,  Ju Lan (中国電子科技集団公司第27研究所,河南鄭州,450047) ,  Lin Fuchang (華中科技大学電气与電子工程学院強電磁工程与新技術国家重点実験室,湖北武漢,430074)
資料名： Binggong Xuebao  (Binggong Xuebao)
巻： 38  号： 12  ページ： 2348-2353  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2399A  ISSN： 1000-1093  CODEN： BIXUD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 電磁軌道内の電機子を均一に加速するために、パルス成形ネットワーク(PFN)は通常、複数のパルス成形ユニット(PFU)を用いて、時系列放電の動作モードを開放し、フラットトップ電流波形を出力する。この時、PFU内の連続流ダイオードは非常に高い逆回復電圧により損傷を受ける可能性がある。ダイオードの逆回復過程およびPFN回路特性の分析を通して,負荷上の逆電圧の回避により,半導体スイッチングデバイスの損傷をなくすための隠れた問題を提案した。。これは,逆の電圧を負に回避する方法の使用を避けるものである。...??????????????????????.この整合公式を8つの75kJモジュールからなる600kJのエネルギー貯蔵のPFN電源パラメータ設計に適用した。この電源システムは放電時間を制御することにより、近似フラットトップの電流波形を生成し、且つシステムの動作が安定し、半導体スイッチングデバイスの損傷現象がない。実験結果は,合理的な負荷パラメータの整合により,ダイオード上の逆過電圧を低減できることを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング素子 ,  電圧 ,  放電 ,  運転モード ,  電機子 ,  電源装置 ,  近似法 ,  *半導体 ,  *ネットワーク ,  *波形成形 ,  連続流 ,  ダイオード ,  エネルギー貯蔵 ,  過電圧
準シソーラス用語： 電流波形 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ordance science and technology ,  pulse forming network ,  pulse power supply ,  sequential fire ,  reverse recovery

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  電源回路  (NC05060Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： パルス成形 ,  半導体デバイス ,  破壊