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J-GLOBAL ID：201802217674182788   整理番号：18A1767763

BP/RES_2ヘテロ構造p-nダイオードに基づく超高光応答性UV光検出器【JST・京大機械翻訳】

Ultrahigh-photoresponsive UV photodetector based on a BP/ReS₂ heterostructure p-n diode

著者 (8件)： Cao Shiwei (Key Lab of Opto-electronics Technology, Ministry of Education, College of Microelectronics, Beijing University of Technology, Beijing 100124, P. R. China. [e-mail]) ,  Xing Yanhui ,  Han Jun ,  Luo Xin ,  Lv Wenxing ,  Lv Weiming ,  Zhang Baoshun ,  Zeng Zhongming
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 35  ページ： 16805-16811  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： van der Waals相互作用により保持された二つの異なる二次元材料から成るvan der Waals(vdW)ヘテロ構造は,格子不整合問題なしに優れた界面品質を提供するので,優れた電子的及び光電子的性質を有する。ここでは,積層黒リン(BP)とレニウム二硫化物(ReS_2)ヘテロ接合に基づくp-nダイオードの開発と光応答特性を報告した。ヘテロ接合は通常のp-n接合ダイオードのそれに類似した明瞭なゲート調整可能整流挙動を示した。UV照射下で,BP/ReS_2p-nダイオードは4120AW-1の高い光応答性を示し,バックゲート電圧を調整することにより光応答特性を修正することができた。さらに,種々のチャネル長さの研究により,1μmのBP長に対して11811AW-1の最高の光応答性が得られた。これらの結果は,vdW 2D材料がナノオプトエレクトロニクス用の先進的ヘテロ接合デバイスの開発に有望であることを示唆した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  界面 ,  *紫外線 ,  *ダイオード ,  電圧 ,  *応答特性 ,  品質 ,  紫外線照射 ,  接合ダイオード ,  二次元 ,  整流 ,  チャネル ,  格子不整合
準シソーラス用語： *光応答 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： BP ,  ヘテロ構造 ,  ダイオード ,  光応答 ,  UV光 ,  検出器