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J-GLOBAL ID:201802217898729630   整理番号:18A0195306

70nm InGaAs/AlGaAsプロセスを用いたQバンド自己バイアスMMIC LNA【Powered by NICT】

Q-band self-biased MMIC LNAs using a 70 nm InGaAs/AlGaAs process
著者 (6件):
資料名:
巻: 2017  号: APMC  ページ: 630-633  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,二自己バイアスLNAを提示した。このような増幅器はQバンドで動作する,42GHzと46GHzの間の4GHzをカバーしている。structu resの両方は,2段構成を,各段階のための誘導フィードバックを用いたコモンソース回路方式を採用した。各LNAのための全占有面積は3.0×1.2mm~2であった。バージョン1と1.5dBバージョン2で得られた1.55dB以下の雑音指数。両バージョンのための帯域内利得は17dBと19dBの間で構成された,0.5dBpp/GHzより低いリップルであった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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増幅回路 

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