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J-GLOBAL ID：201802217942361782   整理番号：18A0706494

垂直結合AlGaAs/AlOxマイクロディスク共振器の結合モード解析【JST・京大機械翻訳】

Coupled-Mode Analysis of Vertically Coupled AlGaAs/AlOx Microdisk Resonators

著者 (8件)： Arlotti Clement (CNRS, LAAS, Toulouse, France) ,  Lafleur Gael (CNRS, LAAS, Toulouse, France) ,  Larrue Alexandre (CNRS, LAAS, Toulouse, France) ,  Calmon Pierre-Francois (CNRS, LAAS, Toulouse, France) ,  Arnoult Alexandre (CNRS, LAAS, Toulouse, France) ,  Almuneau Guilhem (CNRS, LAAS, Toulouse, France) ,  Gauthier-Lafaye Olivier (CNRS, LAAS, Toulouse, France) ,  Calvez Stephane (CNRS, LAAS, Toulouse, France)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 54  号： 3  ページ： ROMBUNNO.6300308.1-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,AlGaAs多層構造の選択的酸化によって作られた最近導入された垂直結合マイクロディスク共振器の光学特性の実験的および理論的評価について報告した。実験測定は,Q因子が75から300μmの範囲の直径に対して10~3~10~4の範囲にあることを示した。この限られた性能の起源を確立するために,単一アクセス導波路結合共振器システムの結合モード理論ベースのモデルを開発した。それは,酸化物ベースの垂直結合共振器に特異的な特徴,すなわち共振器の下にあるスラブ導波路に対する損失,および非対称で多層構造をもつ結合領域を含んでいる。このシミュレーションツールの設定は,結合モード理論アプローチを用いて,これらのより複雑な結合器の特性を正確にモデル化できるように,分解誘電率プロファイルの適切なセットを選択するための一般的基準の提案と検証を必要とした。この理論的開発は一般的であり,誘電体誘電率の任意の区分-wise-一定プロファイルをもつ多重導波路結合器を含む任意のデバイスをシミュレートするために,現在展開されている。この特別な開発とディスク側壁粗さと結合長さの実験的測定を利用して,計算と実験のQ値は良く一致し,電流性能が小さい直径と大きい直径のデバイスに対してそれぞれ散乱損失とスラブ漏れ損失により制限されることを確立した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モデリング ,  光学的性質 ,  多層構造 ,  *共振器 ,  平面導波路 ,  Q値 ,  結合器 ,  誘電体 ,  *円板 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  導波路 ,  誘電率
準シソーラス用語： 結合モード理論 ,  結合共振器 ,  *マイクロディスク共振器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  レーザ一般  (BD04030T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 垂直 ,  AlGaAs ,  マイクロディスク共振器 ,  結合モード解析