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J-GLOBAL ID：201802218009874065   整理番号：18A1183461

InP基板上の高歪InAlP/InGaAs系の結合二重量子井戸

Highly strained InAlP/InGaAs-based coupled double quantum wells on InP substrates

著者 (2件)： GOZU Shin-ichiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MOZUME Teruo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 5  ページ： 055501.1-055501.4  発行年： 2018年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAlP/InGaAs系の結合二重量子井戸(CDQW)を,サブバンド間遷移を利用した光電子デバイス用に提案した。提案したCDQW構造の目的は,InGaAs/AlAsSb(AlAs/InAlAs)系のCDQWと比較してAl量を低減することであった。バンドギャップエネルギーと伝導帯オフセットおよびIII-V材料の格子定数を注意深く考慮することにより,障壁材料として高度に歪んだInAlPを選択した。適切なCDQW構造と最適化された成長条件の下で,提案されたCDQWsは,明確なX線回折サテライトピークを示し,InGaAs/AlAs/InAlAs CDQWsと比較して,ほとんど同じ光吸収スペクトルを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  基板 ,  分子 ,  *リン化アルミニウム ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *多重量子井戸 ,  *電子遷移 ,  *固体素子 ,  エネルギー ,  バンドオフセット ,  格子定数 ,  X線回折 ,  *光吸収スペクトル
準シソーラス用語： 単結晶基板 ,  高歪み化合物 ,  *二重量子井戸 ,  *サブバンド間遷移 ,  *光電子デバイス ,  バンドギャップエネルギー

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (22件)：

• B. F. Levine, R. J. Malik, J. Walker, K. K. Choi, C. G. Bethea, D. A. Kleinman, and J. M. Vandenberg, Appl. Phys. Lett. 50, 273 (1987).
• M. Helm, in Intersubband Transitions in Quantum Wells: Physics and Device Applications, ed. H. C. Lin and F. Capasso (Academic, New York, 2000) Semiconductors and Semimetals, Vol. 62, Chap. 1.
• B. F. Levine, J. Appl. Phys. 74, R1 (1993).
• J. Faist, F. Capasso, D. L. Sivco, C. Sirtori, A. L. Hutchinson, and A. Y. Cho, Science 264, 553 (1994).
• For example, P. Harrison, Quantum Wells, Wires and Dots (Wiley, Chichester, U.K., 2005) 2nd ed.

タイトルに関連する用語 (4件)： InP ,  歪 ,  InGaAs ,  二重量子井戸