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J-GLOBAL ID：201802218067327305   整理番号：18A1028408

中間バンド太陽電池への応用のためのInAs/GaAs_1-xSb_x量子ドットの研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of InAs/GaAs_1-xSb_x quantum dots for applications in intermediate band solar cells

著者 (13件)： Cheng Y. (Homer L. Dodge Department of Physics and Astronomy, The University of Oklahoma, Norman OK) ,  Fukuda M. (Homer L. Dodge Department of Physics and Astronomy, The University of Oklahoma, Norman OK) ,  Whiteside V. R. (Homer L. Dodge Department of Physics and Astronomy, The University of Oklahoma, Norman OK) ,  Debnath M. C. (Homer L. Dodge Department of Physics and Astronomy, The University of Oklahoma, Norman OK) ,  Vallely P. J. (Homer L. Dodge Department of Physics and Astronomy, The University of Oklahoma, Norman OK) ,  Meleco A. J. (Homer L. Dodge Department of Physics and Astronomy, The University of Oklahoma, Norman OK) ,  Roeth A. J. (Homer L. Dodge Department of Physics and Astronomy, The University of Oklahoma, Norman OK) ,  Mishima T. D. (Homer L. Dodge Department of Physics and Astronomy, The University of Oklahoma, Norman OK) ,  Santos M. B. (Homer L. Dodge Department of Physics and Astronomy, The University of Oklahoma, Norman OK) ,  Hossain K. (Amethyst Research Inc., 123 Case Circle, Ardmore, Oklahoma 73401, USA) ,  Hatch S. (Department of Electrical & Electronic Engineering, University College London, Torrington Place. London. U. K.) ,  Liu H. Y. (Department of Electrical & Electronic Engineering, University College London, Torrington Place. London. U. K.) ,  Sellers I. R. (Homer L. Dodge Department of Physics and Astronomy, The University of Oklahoma, Norman OK)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs量子ドット(QD)をカプセル化するGaAs_1-xSb_xマトリックス中のSb組成を増加させることにより,有効バンドギャップと価電子帯オフセットの減少を観測した。中間バンド太陽電池に対するInAs/GaAs_1-xSb_x系の可能性を調べるために,縮退価電子帯をもつp-i-n太陽電池を成長させた。温度依存外部量子効率測定において,温度上昇に伴うQD領域の増強を観測した。短絡電流密度J_scの「s形」挙動を温度上昇と共に観測した。J_scの「s形」挙動に寄与する物理的機構を明らかにするための進行中の研究も提示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  価電子バンド ,  温度依存性 ,  オフセット ,  *アンチモン ,  *量子ドット ,  縮退 ,  *太陽電池 ,  昇温
準シソーラス用語： 短絡電流密度 ,  外部量子効率 ,  InAs量子ドット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 中間バンド太陽電池 ,  応用 ,  InAs ,  量子ドット ,  研究