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J-GLOBAL ID：201802218077105419   整理番号：18A0515455

ZnO量子dot/Agナノワイヤハイブリッドチャネル光薄膜トランジスタ中のAgナノワイヤの二重の役割【Powered by NICT】

Dual role of Ag nanowires in ZnO quantum dot/Ag nanowire hybrid channel photo thin film transistors

著者 (8件)： Wang Weihao (State Key Laboratory of Silicon Materials, Cyrus Tang Center for Sensor Materials and Applications, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, People’s Republic of China. [e-mail]) ,  Pan Xinhua ,  Peng Xiaoli ,  Lu Qiaoqi ,  Wang Fengzhi ,  Dai Wen ,  Lu Bin ,  Ye Zhizhen
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 8  号： 15  ページ： 8349-8354  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高移動度とp型薄膜トランジスタ(TFT)を,高速電子素子のための緊急に必要としている。本研究では,ZnO量子ドット(QD)/Agナノワイヤ(NW)チャネルTFTは,溶液処理法で作製した。Ag NWはドーパントの二重の役割を果たし,電荷移動経路,チャンネルはp型にし,その移動度を増強し,それぞれを提供した。最良の試料は5.04×10~5のオン/オフ比(I_on/I_off),0.73Vのしきい値電圧(V_T),8.69cm~2V~ 1s~ 1の高い電界効果移動度(μ_FE),と0.41V dec~ 1のサブしきい値スイング(SS)が得られた。ZnO QDsの強い紫外(UV)吸収と光誘起キャリア分離能力とAg NWの高速キャリア輸送のために,デバイスは,高い外部量子効率(EQE)と365nmのUV照射下で超高速応答を獲得する。UV変調ZnO QD/Ag北西ハイブリッドチャネル光TFTは,オプトエレクトロニクスデバイスへの将来の応用の可能性を有する,光検出器と光スイッチである。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光検出器 ,  *薄膜トランジスタ ,  量子ドット ,  紫外線照射 ,  *酸化亜鉛 ,  移動度 ,  高速度 ,  *銀 ,  ドーパント ,  *チャネル ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  電界効果移動度 ,  閾値電圧 ,  溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  量子 ,  DOT ,  Ag ,  薄膜トランジスタ ,  ナノワイヤ ,  役割