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J-GLOBAL ID:201802218235614328   整理番号:18A0185846

パウチ製造認定されたバイアス:共通基準EAL4+認証TRNGの詳細な解析【Powered by NICT】

Certifiably Biased: An In-Depth Analysis of a Common Criteria EAL4+ Certified TRNG
著者 (2件):
資料名:
巻: 13  号:ページ: 1031-1041  発行年: 2018年 
JST資料番号: W1570A  ISSN: 1556-6013  CODEN: ITIFA6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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DESFire EV1のEAL4+認証TRNGに関する最初の詳細な解析を報告し,非決定性乱数発生器の認証に関するいくつかの困難な問題を提起する。DESFire EV1カードに意図的真の乱数発生器(TRNG)の品質を分析することから始めた。明確かつ一貫したバイアスを同定し,最もランダム性の良好な性能は,試験したにもかかわらず。,一般的な認証プロセス,共通基準EAL4+などの一般的に使用され,これらの統計的検定は,これらの異常を検出できることがないことが分かった。バイアスの検出と特性化のための使用法を検討し,スポッティング欠損TRNG出力の新規および既存方法を強調した。更なる分析は,バイトレベル,正確な説明を開発したでTRNG出力に影響する組織的問題を示した。著者らの結果はメーカーが認められ,その原因となる開示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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